講演名 2013-06-21
電界誘起SHG法による積層型有機薄膜太陽電池の内部電界の測定(材料デバイスサマーミーティング)
住吉 良太, 田口 大, 間中 孝彰, 岩本 光正,
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抄録(和) 電界誘起SHG法により2層積層型有機薄膜太陽電池(IZO/pentacene/C_<60>/Al)と挿入層としてBCP層を用いた3層積層型有機薄膜太陽電池(IZO/pentacene/C_<60>/BCP/Al)の内部電界を測定した。その結果、BCP挿入層のない場合は内部電界(|E_0|=1.6×10^4 V/cm)がIZO電極からAl電極に向かう方向に形成されているのに対して、BCP挿入層がある場合は内部電界(|E_0|=6.7×10^4 V/cm)がAl電極からIZO電極に向かう方向に形成されることがわかった。BCP挿入層を用いると短絡光電流が増大するが、これはpentacene/C_<60>界面で生成したホールをpentacene層を輸送してIZO電極に取り出し、電子をC_<60>層に輸送してAl電極に取り出す向きにできるためであると結論した。
抄録(英) By using electric-field-induced optical second-harmonic generation (EFISHG) measurement, we probed the internal electric field formed in double-layer organic solar cells (OSCs) with and without bathocuproine (BCP) interface layer (IZO/pentacene/C_<60>/Al and IZO/pentacene/C_<60>/BCP/Al). Results showed that, in OSCs without BCP layer, the internal field (|E_0|=1.6×10^4 V/cm) is pointing in the direction from the IZO to the Al electrode in OSCs without BCP layer, whereas the internal field (|E_0|=6.7×10^4 V/cm) is pointing from the Al electrode to the IZO electrode in OSCs with BCP layer. In the OSCs with BCP layer, the internal field conveys holes (electrons) to the IZO (Al) electrode. As the result, short-circuit current under illumination is enhanced in the OSCs with the BCP layer.
キーワード(和) 光第2次高調波発生法 / 有機薄膜太陽電池
キーワード(英) electric-field-induced optical second-harmonic generation / organic solar cells
資料番号 EMD2013-7,CPM2013-22,OME2013-30
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2013/6/14(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 電界誘起SHG法による積層型有機薄膜太陽電池の内部電界の測定(材料デバイスサマーミーティング)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Probing of internal electric field in multilayer-type organic thin film solar cells by using electric-field-induced optical second-harmonic generation measurement
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 光第2次高調波発生法 / electric-field-induced optical second-harmonic generation
キーワード(2)(和/英) 有機薄膜太陽電池 / organic solar cells
第 1 著者 氏名(和/英) 住吉 良太 / Ryota SUMIYOSHI
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学理工学研究科
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 田口 大 / Dai TAGUCHI
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学理工学研究科
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 間中 孝彰 / Takaaki MANAKA
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学理工学研究科
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 岩本 光正 / Mitsumasa IWAMOTO
第 4 著者 所属(和/英) 東京工業大学理工学研究科
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
発表年月日 2013-06-21
資料番号 EMD2013-7,CPM2013-22,OME2013-30
巻番号(vol) vol.113
号番号(no) 97
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日