| 講演名 | 2013-07-12 スピン注入書き込み技術の進展とノーマリオフコンピューティングへの適用検討(固体メモリ・媒体,一般) 伊藤 順一, 與田 博明, 藤田 忍, 下村 尚治, 北川 英二, 安部 恵子, 野村 久美子, 野口 紘希, |
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| 抄録(和) | スピン注入書き込みMRAMをキャッシュメモリに用いたプロセッサは、通常状態が常に電源オフである"ノーマリーオフコンピューティング"を可能とする近未来の新しいプロセッサである。ノーマリオフコンピューティングにより、プロセッサの低消費電力化を実現するためには、MTJへの書き込みの高速、低電流化が課題である。東芝は垂直磁化のMTJを用いることにより、ノーマリオフコンピューティングが実現可能な、高速、低電流で書き込み可能な垂直磁化MTJ技術を開発した。 |
| 抄録(英) | We propose a new processor using STT-MRAMs as cache memories. It enables "Normally-off computing", where the processor is normally off while the application is working. In order to achieve power reduction by the normally-off computing, fast and low current writing to the MTJ is necessary. We developed the MTJ technology using the perpendicular magnetization MTJ, whose write current pulses are fast and low enough to realize the normally-off computing. |
| キーワード(和) | 垂直MTJ / スピン注入 / MRAM / ノーマリオフコンピューティング |
| キーワード(英) | Perpendicular MTJ / spin transfer torque / MRAM / Normally-off computing |
| 資料番号 | MR2013-13 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
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| 開催期間 | 2013/7/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スピン注入書き込み技術の進展とノーマリオフコンピューティングへの適用検討(固体メモリ・媒体,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Progress on STT MTJ writing Technology and the Effect on Normally-off Computing Systems |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 垂直MTJ / Perpendicular MTJ |
| キーワード(2)（和/英） | スピン注入 / spin transfer torque |
| キーワード(3)（和/英） | MRAM / MRAM |
| キーワード(4)（和/英） | ノーマリオフコンピューティング / Normally-off computing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 伊藤 順一 / J Ito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Center For Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 與田 博明 / H yoda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝半導体研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤田 忍 / S Fujita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Center For Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 下村 尚治 / N Shimomura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Center For Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 北川 英二 / E Kitagawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Center For Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 安部 恵子 / K Abe |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Center For Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 野村 久美子 / K Nomura |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Center For Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 野口 紘希 / H Noguchi |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Center For Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2013-07-12 |
| 資料番号 | MR2013-13 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 127 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |