| 講演名 | 2013-07-19 Bootstrap形ドライバ回路内蔵高速GaN HEMTsバックコンバータの試作結果(マイクロ波フォトニクス技術,一般) 新庄 真太郎, / 向井 謙治, /, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | エンベロープトラッキング(ET)増幅器において,3GPP LTEやWiMAXなどの広帯域変調信号力鼎られる場合においても高効率な特性を維持するためには,エンベロープ信号を増幅するエンベロープ増幅器の高効率動作が課題の一つとなる.本報告では,Bootstrap形ドライバ回路を内蔵したGaN HEMTスイッチング増幅器,直流電流フィードインダクタ,およびローパスフィルタにより構成するバックコンバータを提案する.Bootstrap形ドライバ回路を適用することにより低電源電圧での動作が可能となり,その結果ドライバ回路の消費電力を低減しスイッチング増幅器の全体効率を改善することができる.提案のバックコンバータを試作し,変調帯域幅20MHzのLTEエンベロープ信号を用いて評価した結果,出力電力3.2W,ドライバ回路を含めたスイッチング増幅器の全体効率73%を得た. |
| 抄録(英) | A buck converter based on GaN HEMTs with a switching frequency of 200 MHz that can be used to generate envelope-modulated power supply voltages for use in envelope tracking power amplifiers is proposed. The converter consists of switching circuits with using 0.25 μm GaN HEMTs, inductor, and low pass filter, and can provide output voltages above 28 V. The integrated bootstrap driver of switching circuits is designed in order to reduce DC power consumption of the driver stage. Generation of envelope power supply voltages for 20 MHz LTE signals was demonstrated using 200 MHz switching rates with efficiency of 73%(including dissipation in final and driver stages). |
| キーワード(和) | エンベロープ増幅器 / GaN HEMT / スイッチング増幅器 |
| キーワード(英) | Envelope Amplifier / GaN HEMT / Switching Amplifier |
| 資料番号 | MW2013-84,OPE2013-53,EST2013-48,MWP2013-43 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MWP |
|---|---|
| 開催期間 | 2013/7/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwave and Millimeter-wave Photonics (MWP) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Bootstrap形ドライバ回路内蔵高速GaN HEMTsバックコンバータの試作結果(マイクロ波フォトニクス技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Speed GaN HEMTs Buck Converter with Bootstrap Driver Circuit |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エンベロープ増幅器 / Envelope Amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | スイッチング増幅器 / Switching Amplifier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 新庄 真太郎 / Shintaro Shinjo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | / 向井 謙治 / Young-Pyo Hong |
| 第 2 著者 所属（和/英） | / 三菱電機株式会社 University of California |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | / / Kenji Mukai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | / University of California:Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2013-07-19 |
| 資料番号 | MW2013-84,OPE2013-53,EST2013-48,MWP2013-43 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 144 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |