| 講演名 | 2013-07-12 FeCoB膜の異方性内部応力形成観測と高磁気異方性の関係(固体メモリ・媒体,一般) 林原 久憲, 饒平名 礼生, 中川 茂樹, |
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| 抄録(和) | Ti/Ru/FeCoB膜において形成される異方的な内部応力と磁気異方性との関係について評価した。ターゲット～基板間距離やスパッタガス圧を変化させることで堆積粒子の基板入射方向の分布を変えることで、残留内部応力の異方的な変化を形成したところ膜の磁気異方性が変化した。それぞれの場合での容易軸方向と困難軸方向でのFeCoB層の応力の形成過程をin-situ観測を行った。実験結果から、応力に異方性が出始めるのは膜厚が100nm以降であることが多いことがわかった。また、2軸方向とも圧縮応力が働く場合では応力の異方性と磁気異方性との関係が確認できた。一方、2軸方向とも引張応力が働く場合では磁気異方性へ与える影響は小さくなることが確認できた。 |
| 抄録(英) | In-situ observation of developing internal stress in FeCoB layer was performed during the deposition of the film. Relationship between the anisotropic internal stress and magnetic anisotropy inTi/Ru/FeCoB films was examined. Magnetic anisotropy was controlled by changing distance between targets and substrate and sputtering gas pressure. Anisotropic residual stress tend to develop after the thickness exceed above 100 nm. When compressive stress functioned, relationship between anisotropic stress and magnetic anisotropy was confirmed. While tensile stress functioned, it was confirmed that influence of stress on magnetic anisotropy became smaller than the case of compression stress. |
| キーワード(和) | 内部応力 / 磁気異方性 / in-situ観測 / FeCoB |
| キーワード(英) | residual internal stress / magnetic snisotropy / in-situ observation / FeCoB |
| 資料番号 | MR2013-9 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
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| 開催期間 | 2013/7/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | FeCoB膜の異方性内部応力形成観測と高磁気異方性の関係(固体メモリ・媒体,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Relationship between high magnetic anisotropy and observed internal stress formation of FeCoB films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 内部応力 / residual internal stress |
| キーワード(2)（和/英） | 磁気異方性 / magnetic snisotropy |
| キーワード(3)（和/英） | in-situ観測 / in-situ observation |
| キーワード(4)（和/英） | FeCoB / FeCoB |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 林原 久憲 / Hisanori Hayashibara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院電子物理工学専攻 Dept.of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 饒平名 礼生 / Reo Yohena |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院電子物理工学専攻 Dept.of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中川 茂樹 / Shigeki Nakagawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院電子物理工学専攻 Dept.of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2013-07-12 |
| 資料番号 | MR2013-9 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 127 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |