| 講演名 | 2013-05-16 レイアウト依存効果を考慮したパラメータ化セルによる性能駆動SRAMマクロ設計手法(物理設計,システム設計及び一般) 張 宇, 中武 繁寿, |
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| 抄録(和) | ナノスケール・プロセスでは、Shallow Trench Isolation(STI)ストレスとウェル近接効果(WPE)はMOSFETのしきい値電圧に影響を与え、結果としてシステム・オン・チップ(SoC)の性能にも影響を及ぼす。その影響を最も敏感に受けるのは高密度回路の代表であるSRAMであり、ストレスの影響を考慮した性能検証をしながら設計する必要がある。また、90nmプロセス以降では、ストレス効果のばらつきに起因するしきい値電圧ばらつきが劇的に増大している。本稿では、不均一なパラメータ化されたSRAMセルを導入することにより、面積、リーク電力と遅延における重要なトレードオフを扱うSRAMマクロの設計手法を提案する。 |
| 抄録(英) | In nano-scale process, shallow trench isolation (STI) stress and well proximity effect (WPE) affect the threshold voltage of MOSFET as well as the performance of the system-on-chips (SoC). As one of the most sensitive and highest density circuit, SRAMs must be designed considering the stress effect analysis. The variation of the stress effect causes dramatical change of the threshold voltage especially beyond 90nm process. In this paper, we present an SRAM macro design methodology dealing with a significant trade-off among area, leakage power and delay by introducing non-uniform parameterized SRAM cells. |
| キーワード(和) | SRAM / STI / WPE / リーク電力 / 遅延 / 面積 |
| キーワード(英) | SRAM / STI / WPE / leakage power / delay / area |
| 資料番号 | VLD2013-1 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2013/5/9(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | レイアウト依存効果を考慮したパラメータ化セルによる性能駆動SRAMマクロ設計手法(物理設計,システム設計及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Performance-driven SRAM Macro Design with Parameterized Cell Considering Layout-dependent Effects |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | STI / STI |
| キーワード(3)（和/英） | WPE / WPE |
| キーワード(4)（和/英） | リーク電力 / leakage power |
| キーワード(5)（和/英） | 遅延 / delay |
| キーワード(6)（和/英） | 面積 / area |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 張 宇 / Yu ZHANG |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北九州市立大学大学院国際環境工学研究科 School of Environmental Engineering, The University of Kitakyushu |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中武 繁寿 / Shigetoshi NAKATAKE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北九州市立大学国際環境工学部情報メディア工学科 Department of Information and Media Engineering, the University of Kitakyushu |
| 発表年月日 | 2013-05-16 |
| 資料番号 | VLD2013-1 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 30 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |