講演名 2013-04-12
MLC相変化メモリとNANDフラッシュメモリを用いた三次元ハイブリッドSSDのための正負温度係数を有する読み出し参照源(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
宮地 幸祐, 上口 光, 樋口 和英, 竹内 健,
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抄録(和) MLCの相変化メモリ(PCM)とNANDフラッシュメモリを用いた三次元実装ハイブリッドSSD向けの読み出し参照源回路を提案する.提案参照源回路はPCMとNANDフラッシュそれぞれの温度特性の再現のため,正・負両温度係数を出力可能である.0.18μm標準CMOSプロセスを用いて提案回路の実装を行い,-5.47mV/Kから5.74mV/Kまで温度係数の変調を確認した.また,温度係数とは独立に出力レベルが変調できるため,メモリ素子特性のばらつきにも対応可能である.
抄録(英) An integrated variable temperature coefficient (TC) reference generator for multi-level cell phase change memory (PCM)/NAND flash memory hybrid three dimensional solid-state drive is proposed and demonstrated by 0.18μm CMOS process. The proposed generator outputs both positive and negative TC reference current and voltage for PCM and NAND, respectively.TC is programmable and it can be widely changed down to -5.47mV/K and up to 5.74mV/K. Output level is also variable and it is independently controlled from the TC control. The flexible TC and output level control also enable a compensation of characteristics changes due to the program/erase cycling as wells as the process variations of the memory devices. The size of the reference generator is 0.195mm^2. The power consumption is 0.68mW at 120degC, 2.3V output.
キーワード(和) 相変化メモリ / NANDフラッシュメモリ / ソリッド・ステート・ドライブ / 参照源回路
キーワード(英) phase change memory(PCM) / NAND flash memory / solid-state drive(SSD) / reference circuit
資料番号 ICD2013-17
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2013/4/4(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) MLC相変化メモリとNANDフラッシュメモリを用いた三次元ハイブリッドSSDのための正負温度係数を有する読み出し参照源(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
サブタイトル(和)
タイトル(英) An Integrated Variable Positive/Negative Temperature Coefficient Read Reference Generator for MLC PCM/NAND Hybrid 3D SSD
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 相変化メモリ / phase change memory(PCM)
キーワード(2)(和/英) NANDフラッシュメモリ / NAND flash memory
キーワード(3)(和/英) ソリッド・ステート・ドライブ / solid-state drive(SSD)
キーワード(4)(和/英) 参照源回路 / reference circuit
第 1 著者 氏名(和/英) 宮地 幸祐 / Kousuke Miyaji
第 1 著者 所属(和/英) 中央大学
Chuo University
第 2 著者 氏名(和/英) 上口 光 / Koh Johguchi
第 2 著者 所属(和/英) 中央大学
Chuo University
第 3 著者 氏名(和/英) 樋口 和英 / Kazuhide Higuchi
第 3 著者 所属(和/英) 東京大学
University of Tokyo
第 4 著者 氏名(和/英) 竹内 健 / Ken Takeuchi
第 4 著者 所属(和/英) 中央大学
Chuo University
発表年月日 2013-04-12
資料番号 ICD2013-17
巻番号(vol) vol.113
号番号(no) 1
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日