講演名 2013-04-12
3次元積層ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッドソリッド・ステート・ドライブ向けV_(3V)、V_(20V)生成回路の設計(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
畑中 輝義, 上口 光, 蜂谷 尚悟, 竹内 健,
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抄録(和) ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッド3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向けの書き込み電圧生成回路を提案する。本回路は1つのスパイラルインダクタを用い2出力のブーストコンバータを構成し、ReRAM向け書き込み電圧V_(3V)と、NANDフラッシュメモリ向け書き込み電圧V_(20V)を同時に昇圧し、同時に出力する。従来技術ではインダクタ面積の増加および昇圧時間の増大が問題となる。本提案は、2つのインダクタを用いた従来型ブーストコンバータと比較し電力増加や性能低下を招くことなく、インダクタ面積を15%削減できる。ブーストコンバータに寄与するインダクタンス設計によりブーストコンバータ間の干渉を抑制し、V_とV_の同時昇圧、同時出力を実現した。
抄録(英) This paper proposes a single-inductor, dual-output, parallel-boosting boost converter for 3D-integrated ReRAM and NAND flash memory hybrid solid-state drives. This circuit is composed of single inductor and outputs 3V for ReRAM program (V_), 20V for NAND program (V_). The technical issues in the previous works are the increasing the number of inductors and dead time during boosting. In this work, there is no additional power and performance degradation compared with the conventional double-inductor boost converter. The inductor area is reduced by 15%. The interference between the boost converters is suppressed by the inductance design and simultaneous boosting of two programming-voltages is experimentally demonstrated.
キーワード(和) SSD / ReRAM / NANDフラッシュメモリ / ブーストコンバータ / 3次元積層
キーワード(英) SSD / ReRAM / NAND flash memory / boost converter / 3D-integration
資料番号 ICD2013-16
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2013/4/4(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 3次元積層ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッドソリッド・ステート・ドライブ向けV_(3V)、V_(20V)生成回路の設計(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Design of V_(3 V), V_(20V) Generator System for 3D-ReRAM and NAND Flash Memory Hybrid Solid-State Drives
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) SSD / SSD
キーワード(2)(和/英) ReRAM / ReRAM
キーワード(3)(和/英) NANDフラッシュメモリ / NAND flash memory
キーワード(4)(和/英) ブーストコンバータ / boost converter
キーワード(5)(和/英) 3次元積層 / 3D-integration
第 1 著者 氏名(和/英) 畑中 輝義 / Teruyoshi HATANAKA
第 1 著者 所属(和/英) 中央大学:東京大学
Chuo University:University of Tokyo
第 2 著者 氏名(和/英) 上口 光 / Koh JOHGUCHI
第 2 著者 所属(和/英) 中央大学
Chuo University
第 3 著者 氏名(和/英) 蜂谷 尚悟 / Shogo HACHIYA
第 3 著者 所属(和/英) 中央大学
Chuo University
第 4 著者 氏名(和/英) 竹内 健 / Ken TAKEUCHI
第 4 著者 所属(和/英) 中央大学
Chuo University
発表年月日 2013-04-12
資料番号 ICD2013-16
巻番号(vol) vol.113
号番号(no) 1
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日