| 講演名 | 2013-05-16 カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 藤田 陽平, 高野 泰, 井上 翼, 中野 貴之, |
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| 抄録(和) | 非線形光学に用いられるGaNは、結晶格子の反転した擬似位相整合を用いている。我々はこれらの結晶構造の作製方法として、カーボンマスクを用いたMOVPE法での両極性同時成長プロセスを提案し、その方法により周期的極性反転GaN薄膜を作製した。カーボンマスクによる基板窒化の選択処理により従来の結晶成長方法と差異のない成長方法にて両極性同時成長を実現した。本研究では、窒化条件やマスク除去条件の最適化により両極性同時成長を実現した。 |
| 抄録(英) | For nonlinear optical applications using gallium nitride (GaN), periodic inversion of crystallographic orientation (polarity) is required for quasi-phase matching. We developed a novel procedure for designing polarity patterns in GaN using metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE), and we used this to fabricate periodic polarity-inverted GaN films. By using a carbon mask for the formation of the selective area, substrate nitriding and mask removal of the selective area were done in the GaN epitaxial growth process. In this report, double polarity selective area growth (DP-SAG) was realized by optimization of nitriding condition and mask removal condition. |
| キーワード(和) | GaN / MOVPE |
| キーワード(英) | GaN / MOVPE |
| 資料番号 | ED2013-18,CPM2013-3,SDM2013-25 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2013/5/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The process of GaN double polarity selective area growth by using carbon mask |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤田 陽平 / Yohei FUJITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高野 泰 / Yasushi TAKANO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電子物質科学科 Department of Electronics and Materials Science, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 井上 翼 / Yoku INOUE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電子物質科学科 Department of Electronics and Materials Science, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中野 貴之 / Takayuki NAKANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電子物質科学科 Department of Electronics and Materials Science, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2013-05-16 |
| 資料番号 | ED2013-18,CPM2013-3,SDM2013-25 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 41 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |