| 講演名 | 2013-05-16 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 中根 浩貴, 加藤 正史, 市村 正也, 大島 武, |
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| 抄録(和) | SiCデバイスの性能向上には、キャリアライフタイムの制御方法の確立が必要である。そのためには深い準位の物理的起源の理解が重要である。本研究では電子線照射を施して意図的に欠陥を導入した4H-SiCに対し、様々な温度で熱処理を加え、深い準位の評価を行った。その結果を、過去に報告のある点欠陥の熱処理温度に対する濃度推移と比較し、深い準位の欠陥構造の同定を試みた。 |
| 抄録(英) | To improve the performance of SiC devices, it is necessary to establish a method to control the carrier lifetime. Understanding of physical origins of deep levels is important for establishment of the method. In this work, we have measured deep-levels in 4H-SiC which were irradiated by electrons and subsequently annealed at various temperatures. Then, we compared annealing temperature dependence of signals from deep levels with that of signals reported using the electron paramagnetic resonance method to identify the defect structure of deep level. |
| キーワード(和) | 4H-SiC / 深い準位 / 熱処理 |
| キーワード(英) | 4H-SiC / deep-level / anneal |
| 資料番号 | ED2013-17,CPM2013-2,SDM2013-24 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2013/5/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Identification of defect structures forming the deep levels in 4H-SiC |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 深い準位 / deep-level |
| キーワード(3)（和/英） | 熱処理 / anneal |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中根 浩貴 / Hiroki NAKANE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi KATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大島 武 / Takeshi OHSHIMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本原子力研究開発機構 Japan Atomic Energy Agency |
| 発表年月日 | 2013-05-16 |
| 資料番号 | ED2013-17,CPM2013-2,SDM2013-24 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 41 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |