| 講演名 | 2013-04-26 放電プラズマ中ラジカル照射による低侵襲遺伝子導入法の開発(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般) 金子 俊郎, 佐々木 渉太, 小西 秀明, 石田 裕康, 神崎 展, |
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| 抄録(和) | 近年,プラズマのバイオ・医療応用研究が盛んに行われている.本研究では,放電プラズマを用いた低侵襲高効率遺伝子導入法の開発を目的として,第一に遺伝子となるDNAを低損傷でデリバリーするためにカーボンナノチューブ内部に挿入する技術を開発した.第二に,デリバリーされた遺伝子の細胞内への導入効率を向上させるために,遺伝子模擬蛍光物質と細胞を混合した溶液に水酸基ラジカルを含むプラズマを数秒照射した.その結果,導入効率30%,生存率90%以上の低侵襲遺伝子導入を実現した. |
| 抄録(英) | Recently, plasma applications for bio-medical field are investigated. In this study, for the purpose of development of the minimally invasive gene transfection using discharge plasmas, as a first step, DNA is encapsulated into carbon nanotubes in order to deliver the DNA without damage. In addition, for the purpose of improving the transfection efficiency, the discharge plasma including hydroxyl radical is irradiated for a few second to the cell mixed with a fluorescent material. As a result, the transfection efficiency becomes high (30%) and viability is more than 90%. |
| キーワード(和) | 低侵襲遺伝子導入 / プラズマ / 水酸基ラジカル |
| キーワード(英) | minimally invasive gene transfection / plasma / hydroxyl radical |
| 資料番号 | SDM2013-16,OME2013-16 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2013/4/18(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 放電プラズマ中ラジカル照射による低侵襲遺伝子導入法の開発(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Minimally Invasive Gene Transfection Using Irradiation of Radicals in Discharge Plasmas |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低侵襲遺伝子導入 / minimally invasive gene transfection |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマ / plasma |
| キーワード(3)（和/英） | 水酸基ラジカル / hydroxyl radical |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金子 俊郎 / Toshiro KANEKO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐々木 渉太 / Syota SASAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小西 秀明 / Hideaki KONISHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石田 裕康 / Hiroyasu ISHIDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 神崎 展 / Makoto KANZAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2013-04-26 |
| 資料番号 | SDM2013-16,OME2013-16 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 17 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |