| 講演名 | 2013-04-12 車載向け高速、高信頼性40nm混載SG-MONOSフラッシュマクロの開発 : 160MHzランダムアクセス可能コード領域と10M回書き換え可能データ領域の実現(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) 小川 大也, 河野 隆司, 伊藤 孝, 鶴田 環, 西山 崇之, 長澤 勉, 川嶋 祥之, 日高 秀人, 山内 忠昭, |
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| 抄録(和) | 混載フラッシュメモリを備えたマイクロコントローラ(フラッシュMCU)の市場は、1990年代以降、着実に成長している。特に、自動車の分野では、燃料効率や安全性および複雑なリアルタイム制御のために、フラッシュMCUは不可欠になっている。このため混載フラッシュメモリに対しては、大容量かつ超高速ランダム・リード・アクセスが求められている。また、自動車のエンジンルーム内などの高温環境(Tj=170℃)でも正常な書き込み/消去動作を行わなければならない。我々は、40nm世代の混載プロセスを用いてこれらの車載用途に要求される条件を満たしたフラッシュマクロを開発した。 |
| 抄録(英) | The markets of Flash MCUs, microcontrollers with embedded flash memory (eFlash), have been steadily growing since the middle of 1990s. Especially, in automotive, Flash MCUs have become essential to realize higher fuel-efficiency, higher safety, and more convenient operativity by the complicated real-time controls. For this reason, high density and high speed random read access are strongly required for eFlash. In addition, what characterizes the requirements for eFlash in automotive are secured operations and data reliability with the excellent program/erase(P/E) cycling under high temperature. We investigate 40nm Embedded SG-MONOS Flash Macros for Automotive. |
| キーワード(和) | 車載向け / 160MHzランダムアクセス / SG-MONOS |
| キーワード(英) | for Automotive / 160MHz Random Access / SG-MONOS |
| 資料番号 | ICD2013-13 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2013/4/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 車載向け高速、高信頼性40nm混載SG-MONOSフラッシュマクロの開発 : 160MHzランダムアクセス可能コード領域と10M回書き換え可能データ領域の実現(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Performance and High Reliability 40nm Embedded SG-MONOS Flash Macros for Automotive : 160MHz Random Access for Code and Endurance Over 10M Cycles for Data |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 車載向け / for Automotive |
| キーワード(2)（和/英） | 160MHzランダムアクセス / 160MHz Random Access |
| キーワード(3)（和/英） | SG-MONOS / SG-MONOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小川 大也 / Tomoya Ogawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 河野 隆司 / Takashi Kono |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 伊藤 孝 / Takashi Ito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鶴田 環 / Tamaki Tsuruda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 西山 崇之 / Takayuki Nishiyama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 長澤 勉 / Tsutomu Nagasawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 川嶋 祥之 / Yoshiyuki Kawashima |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 日高 秀人 / Hideto Hidaka |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 山内 忠昭 / Tadaaki Yamauchi |
| 第 9 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 2013-04-12 |
| 資料番号 | ICD2013-13 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 1 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |