| 講演名 | 2013-04-12 相補型原子スイッチを用いたプログラマブルロジックでのRTL記述からの回路マッピング(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) 宮村 信, 多田 宗弘, 阪本 利司, 伴野 直樹, 岡本 浩一郎, 井口 憲幸, 波田 博光, |
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| 抄録(和) | 低電圧プログラミングが可能な相補型原子スイッチを用いた不揮発プログラマブルセルを開発し、3x3セルアレイ規模での回路のマッピングとその動作を実証した。相補型原子移動スイッチをCMOSスイッチに代わって用いることで、65nmテクノロジーノードにおいてリファレンスセルに比べ78%の小面積化を行い、さらに、プログラマブルセルの不揮発化を実現した。今回、任意回路を実現するための、RTLコードからコンフィギュレーションデータ生成までの一貫したツールチェーンを併せて開発した。本ツールを用いて2bit加算器のマッピングをおこない、3x3プログラマブルセルにおいて回路動作を確認した。 |
| 抄録(英) | Reconfigurable nonvolatile programmable-logic using complementary atom switch (CAS) is successfully demonstrated on a 65-nm-node test chip. The CAS integrated over CMOS reduces the cell area by 78% compared to a conventional SRAM-based design. The full path from RTL source code to chip configuration is newly developed for the atom-switch-based programmable cell, and 2 bit full adder logic operation is realized on the actual 3x3 programmable cell. |
| キーワード(和) | 原子移動型スイッチ / 不揮発 / 再構成可能 / バックエンドデバイス / プログラマブルセル |
| キーワード(英) | Atom switch / Nonvolatile / Reconfigurable / BEOL devices / Programmable cell |
| 資料番号 | ICD2013-12 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2013/4/4(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 相補型原子スイッチを用いたプログラマブルロジックでのRTL記述からの回路マッピング(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Complementary atom-switch based programmable cell array and its demonstration of logic mapping synthesized from RTL code |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 原子移動型スイッチ / Atom switch |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発 / Nonvolatile |
| キーワード(3)（和/英） | 再構成可能 / Reconfigurable |
| キーワード(4)（和/英） | バックエンドデバイス / BEOL devices |
| キーワード(5)（和/英） | プログラマブルセル / Programmable cell |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮村 信 / Makoto MIYAMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association and Project(LEAP) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 多田 宗弘 / Munehiro TADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association and Project(LEAP) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 阪本 利司 / Toshitsugu SAKAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association and Project(LEAP) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 伴野 直樹 / Naoki BANNO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association and Project(LEAP) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岡本 浩一郎 / Koichiro OKAMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association and Project(LEAP) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 井口 憲幸 / Noriyuki IGUCHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association and Project(LEAP) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 波田 博光 / Hiromitsu HADA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association and Project(LEAP) |
| 発表年月日 | 2013-04-12 |
| 資料番号 | ICD2013-12 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 1 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |