| 講演名 | 2013-04-11 スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 : 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える?(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) 新居 浩二, 遠藤 哲郎, 加藤 佳一, 半澤 悟, 梶谷 一彦, 川澄 篤, 三輪 達, |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | 不揮発メモリ / SRAM / DRAM / MRAM / ReRAM / 相変化メモリ / フラッシュメモリ |
| キーワード(英) | Nonvolatile memory / SRAM / DRAM / MRAM / ReRAM / PRAM / Flash memory |
| 資料番号 | ICD2013-11 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2013/4/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 : 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える?(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Future prospects of memory solutions for smart society : Can new nonvolatile memories replace SRAM/DRAM/Flash? |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発メモリ / Nonvolatile memory |
| キーワード(2)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(3)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(4)（和/英） | MRAM / MRAM |
| キーワード(5)（和/英） | ReRAM / ReRAM |
| キーワード(6)（和/英） | 相変化メモリ / PRAM |
| キーワード(7)（和/英） | フラッシュメモリ / Flash memory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 新居 浩二 / Koji NII |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 遠藤 哲郎 / Tetstuo ENDOH |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学 Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 加藤 佳一 / Yoshikazu KATOH |
| 第 3 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 Panasonic Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 半澤 悟 / Satoru HANZAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所 Hitachi, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 梶谷 一彦 / Kazuhiko KAJIGAYA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | エルピーダメモリ株式会社 Elpida Memory Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 川澄 篤 / Atsushi KAWASUMI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 三輪 達 / Toru MIWA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | サンディスク株式会社 SanDisk Corporation |
| 発表年月日 | 2013-04-11 |
| 資料番号 | ICD2013-11 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 1 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 49 |
| 発行日 | |