| 講演名 | 2013-04-11 4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) 松永 翔雲, 三浦 貞彦, 本庄 弘明, 木下 啓蔵, 池田 正二, 遠藤 哲郎, 大野 英男, 羽生 貴弘, |
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| 抄録(和) | 高性能な情報検索機能を実現する並列構造の専用ハードウェア,Ternary Content-Addressable Memory(TCAM)では,記憶情報の大容量化と検索処理の低スタンバイ電力化が強く要求される.本稿では,4個のMOSトランジスタと2個のMagnetic Tunnel Junction(MTJ)素子を用いることで,記憶機能が不揮発化され,かつ所望の演算機能も実現できる新しい不揮発TCAMセル構造(4T-2MTJ構造)を提案する.90nm CMOSプロセスと100nm MTJプロセスにおいて3.14um^2という最小面積の不揮発TCAMセルを実現し,不揮発TCAMテストチップによりその動作を実証した.また,本提案手法による大容量化と低スタンバイ電力化の優位性を明らかにする. |
| 抄録(英) | Higher density and lower standby power are demanded in ternary content-addressable memory (TCAM), that realizes huge number of information retrieval at a time with its fully parallel manner. In this paper, we propose and demonstrate a four-MOS-transistor/two-MTJ-device (4T-2MTJ) cell circuit for a standby-power-free and high-density fully parallel nonvolatile TCAM. By optimally merging a nonvolatile storage function and a comparison logic function into the TCAM cell circuit with nonvolatile logic-in-memory structure, the transistor counts required in the cell circuit become minimized. As a result, the cell size becomes 3.14um^2 under a 90-nm CMOS and a 100-nm MTJ technologies. |
| キーワード(和) | 不揮発 / スピントロニクス / スタンバイ電力 / 完全並列 / 連想メモリ |
| キーワード(英) | Nonvolatile / spintronics / standby power / fully parallel / associative memory |
| 資料番号 | ICD2013-7 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2013/4/4(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of a Nonvolatile TCAM Chip Based on 4T-2MTJ Cell Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発 / Nonvolatile |
| キーワード(2)（和/英） | スピントロニクス / spintronics |
| キーワード(3)（和/英） | スタンバイ電力 / standby power |
| キーワード(4)（和/英） | 完全並列 / fully parallel |
| キーワード(5)（和/英） | 連想メモリ / associative memory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松永 翔雲 / Shoun MATSUNAGA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター Center for Spintronics Integrated Systems, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三浦 貞彦 / Sadahiko MIURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 本庄 弘明 / Hiroaki HONJO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 木下 啓蔵 / Keizo KINOSHITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター Center for Spintronics Integrated Systems, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 池田 正二 / Shoji IKEDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター Center for Spintronics Integrated Systems, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo ENDOH |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター Center for Spintronics Integrated Systems, Tohoku University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 大野 英男 / Hideo OHNO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター Center for Spintronics Integrated Systems, Tohoku University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 羽生 貴弘 / Takahiro HANYU |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター Center for Spintronics Integrated Systems, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2013-04-11 |
| 資料番号 | ICD2013-7 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 1 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |