| 講演名 | 2013-04-11 非接触メモリーカードの待機電力削減のための誘導結合型ウェイクアップトランシーバ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) 三浦 典之, 齋藤 美都子, 田口 眞男, 黒田 忠広, |
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| 抄録(和) | 非接触メモリーカードの待機電力を1/500に削減するノーマリーオフの誘導結合型ウェイクアップトランシーバを開発した。0.18μm CMOSを用いウェイクアップ信号伝達に要する時間は2.9ns、待機電力は6nW、レイアウト面積は50μm角である。 |
| 抄録(英) | A normally-off-type inductive-coupling wake-up transceiver is developed to 1/500 the standby power consumption of non-contact memory cards. The wake-up signal shows up 2.9ns after inductive excitement. The transceiver consumes 6nW standby power with 50x50μm of silicon area in 0.18μm CMOS. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ICD2013-3 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2013/4/4(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 非接触メモリーカードの待機電力削減のための誘導結合型ウェイクアップトランシーバ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An Inductive-Coupling Wake-Up Transceiver for Standby Power Reduction of Non-Contact Memory Card |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三浦 典之 / Noriyuki Miura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学 Keio University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 齋藤 美都子 / Mitsuko Saito |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学 Keio University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田口 眞男 / Makio Taguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学 Keio University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 黒田 忠広 / Tadahiro Kuroda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学 Keio University |
| 発表年月日 | 2013-04-11 |
| 資料番号 | ICD2013-3 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 1 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |