| 講演名 | 2013-04-11 STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) 角田 浩司, 能代 英之, 吉田 親子, 山崎 裕一, 高橋 厚, 射場 義久, 畑田 明良, 中林 正明, 長永 隆志, 青木 正樹, 杉井 寿博, |
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| 抄録(和) | CMOS混載用のスピン注入型MRAMに適した新しい磁気トンネル接合(MTJ)を開発した.このMTJはCoFeB/MgO界面に誘起される垂直磁気異方性を利用しており,新たに2重トンネル接合とダミー磁化自由層を設けることで,書き換え電流と熱安定性のトレードオフ改善を目指している.この垂直磁化型MTJを65nm世代のCMOSプロセスにて300mmウエハ上に試作した結果,直径53nmのMTJでスイッチング電流I_ |
| 抄録(英) | A novel magnetic tunnel junction (MTJ) for embedded memory applications such as spin transfer torque magneto-resistive random access memory (STT-MRAM) is proposed. It consists of a dummy free layer and dual tunnel junctions using perpendicular magnetic anisotropy at the CoFeB/MgO interface. A fabricated MTJ with 53 nm diameter exhibited a high thermal stability factor Δ=52 and a small switching current I_ |
| キーワード(和) | スピン注入型MRAM / 磁気トンネル接合 / 垂直磁気異方性 / 2重トンネル接合 / ダミー磁化自由層 |
| キーワード(英) | STT-MRAM / MTJ / PMA / Dual tunnel junctions / Dummy free layer |
| 資料番号 | ICD2013-2 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2013/4/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Novel MTJ for STT-MRAM with a Dummy Free Layer and Dual Tunnel Junctions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | スピン注入型MRAM / STT-MRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 磁気トンネル接合 / MTJ |
| キーワード(3)（和/英） | 垂直磁気異方性 / PMA |
| キーワード(4)（和/英） | 2重トンネル接合 / Dual tunnel junctions |
| キーワード(5)（和/英） | ダミー磁化自由層 / Dummy free layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 角田 浩司 / Koji TSUNODA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 能代 英之 / Hideyuki NOSHIRO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉田 親子 / Chikako YOSHIDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山崎 裕一 / Yuichiro YAMAZAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高橋 厚 / Atsushi TAKAHASHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 射場 義久 / Yoshihisa IBA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 畑田 明良 / Akiyoshi HATADA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 中林 正明 / Masaaki NAKABAYASHI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 長永 隆志 / Takashi TAKENAGA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 青木 正樹 / Masaki AOKI |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 杉井 寿博 / Toshihiro SUGII |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 発表年月日 | 2013-04-11 |
| 資料番号 | ICD2013-2 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 1 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |