| 講演名 | 2013-05-17 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 熊崎 祐介, 神保 亮平, 谷田部 然治, 佐藤 威友, |
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| 抄録(和) | 電気化学的手法により自己組織化形成されるn-InP多孔質構造の光吸収特性を,pn接合基板に形成した光電流測定素子を用いて評価した.得られる光電流値は構造に強く依存し,多孔質構造はプレーナ構造と比べて大きな光吸収特性を示すことを見いだした.また,多孔質構造を基盤とする光電変換素子を提案し,その基本特性を評価した.光照射下における電流-電圧特性から,多孔質素子はプレーナ型素子と比べて大きな光電流と高い光応答特性を示すことを明らかにした. |
| 抄録(英) | We investigated the optical absorption properties of InP porous structures formed by the electrochemical process using photoelectric conversion (PC) devices formed on p-n junction substrates. We found from the results of the photocurrent measurements by changing the incident light power that the absorption properties of InP were enhanced after the formation of porous structures showing the low photoreflectance properties. Then, we proposed the photoelectric conversion devices based on the porous structures and investigated their basic operation properties. According to current-voltage measurements under illumination, the porous devices showed larger photocurrents and higher responsivity than those of a reference planar sample. |
| キーワード(和) | 光吸収特性 / 光電変換 / 多孔質構造 / InP / Pt |
| キーワード(英) | Photoabsorption / Photoelectric Conversion / Porous Structure / InP / Pt |
| 資料番号 | ED2013-27,CPM2013-12,SDM2013-34 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2013/5/9(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoabsorption and Photoelectric Conversion Properties of InP Porous Structures Formed by the Electrochemical process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光吸収特性 / Photoabsorption |
| キーワード(2)（和/英） | 光電変換 / Photoelectric Conversion |
| キーワード(3)（和/英） | 多孔質構造 / Porous Structure |
| キーワード(4)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(5)（和/英） | Pt / Pt |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 熊崎 祐介 / Yusuke KUMAZAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 神保 亮平 / Ryohei JINBO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 谷田部 然治 / Zenji YATABE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐藤 威友 / Taketomo SATO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2013-05-17 |
| 資料番号 | ED2013-27,CPM2013-12,SDM2013-34 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 40 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |