| 講演名 | 2013-05-16 表面窒化によるGaAsN混晶の形成(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 浦上 法之, 若原 昭浩, 関口 寛人, 岡田 浩, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | GaAsN混晶を表面窒化により量子井戸として形成し、成長様式および発光特性を評価した。窒化時のAs_2分子線圧力を減少することにより、N組成の増加が示唆され、Nの取り込みがAsおよびN原子のサイト競合に依存していること明らかになった。窒化時間を変化させた場合、窒化後の待ち時間を経過した後の反射高速電子線回折像において、As安定化(2×4)およびN安定化(3×3)構造が観測された。(2×4)構造が観測された場合のみ鋭いPLスペクトルが得られ、N安定化(3×3)構造が観測された場合ではNクラスタが結晶内に形成され、非発光再結合中心が増加したため、強いPL強度は得られなかったと推測される。GaP基板上GaAsN量子井戸ではN添加量の増加につれ、Type-IIからType-I量子構造になったことにより、発光強度が増加した。 |
| 抄録(英) | GaAsN alloys was grown by surface nitridation and applied for the growth of quantum well (QW). Increase of incorporation of N atoms into GaAsN with decrease of As_2 pressure suggests that N atoms incorporations governed by competing the group-V sites with As atoms. Photoluminescence (PL) peak energy was not dependent on the nitridation time of from 5～15 sec and the energy was approximately 1.37 eV. On the other hands, PL peak energy was 1.31 eV for the nitridation time of 20 sec. The PL intensity was decreased by two orders than those of the nitridetion time of 5～15 sec. The reflection high energy electron diffraction (RHEED) pattern showed As-stabilized (2×4) and N-stabilized (3×3) reconstructions for the samples nitrided by 15sec and 20sec, respectively. Stable Ga-N bonds remain after the interruption time for the surface condition of 15 sec nitridation. Formation of N-clustering consisted a number of N-N pairs lead to the decrease of PL intensity due to the increase of nonradiative center for the surface condition of 20 sec nitridation., In the GaAsN/GaP QW, PL peak energy shifted to low-energy side and the intensity increased with increasing the amount of N supply. |
| キーワード(和) | GaAsN / 希薄窒化物 / III-V-N / 表面窒化 |
| キーワード(英) | GaAsN / Dilute nitride / III-V-N / Surface nitridation |
| 資料番号 | ED2013-20,CPM2013-5,SDM2013-27 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2013/5/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 表面窒化によるGaAsN混晶の形成(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of GaAsN alloys by surface nitridation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAsN / GaAsN |
| キーワード(2)（和/英） | 希薄窒化物 / Dilute nitride |
| キーワード(3)（和/英） | III-V-N / III-V-N |
| キーワード(4)（和/英） | 表面窒化 / Surface nitridation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 浦上 法之 / Noriyuki URAKAMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 関口 寛人 / Hiroto SEKIGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岡田 浩 / Hiroshi OKADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | エレクトロニクス先端融合研究所 Electronics-Inspired Interdisciplinary Research Institute |
| 発表年月日 | 2013-05-16 |
| 資料番号 | ED2013-20,CPM2013-5,SDM2013-27 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 40 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |