講演名 | 2013-02-28 室温動作単電子トランジスタとCMOS 1-bitアナログセレクタの集積化(機能ナノデバイス及び関連技術) 鈴木 龍太, 野末 喬城, 更屋 拓也, 平本 俊郎, |
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抄録(和) | 本研究では、室温動作シリコン単電子トランジスタ(SET)の作製プロセスの改良により、同時に作製されるMOSFETの特性を改善し、SETとCMOSを集積化した上での回路動作を実証した。作製プロセスの改良により、MOSFETの寄生抵抗の抑制とノーマリオフ動作を実現し、作製プロセスの完全なCMOS互換性を達成した。6個のMOSFETから構成されたCMOSアナログセレクタ回路とSETを集積し、2つの入力電圧のうち1つをセレクタを介して選択的にSETのゲートに印加する動作を室温にて実証した。加えて、セレクタに接続された2つのSETのうちの1つの出力電流を選択的に読み出せることも示した。これらの成果により、SETとCMOSを集積化した高密度な情報処理回路の実現可能性が示された。 |
抄録(英) | In this paper, integrated circuit operation of CMOS analog selector circuits and silicon single-electron transistors is presented. The improvements in the fabrication process of SETs operating at room temperature have achieved better compatibility with CMOS, in terms of reduction in parasitic resistance and normally-off operation of MOSFETs Selective voltage application to the gate of a SET and selective readout of the output currents of two SETs through CMOS analog selectors have been demonstrated at room temperature. |
キーワード(和) | 単電子トランジスタ / SET / CMOS |
キーワード(英) | Single-electron transistor / SET / CMOS |
資料番号 | ED2012-137,SDM2012-166 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2013/2/20(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 室温動作単電子トランジスタとCMOS 1-bitアナログセレクタの集積化(機能ナノデバイス及び関連技術) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Integration of CMOS 1-bit Analog Selector Circuits and Single-Electron Transistors Operating at Room Temperature |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 単電子トランジスタ / Single-electron transistor |
キーワード(2)(和/英) | SET / SET |
キーワード(3)(和/英) | CMOS / CMOS |
第 1 著者 氏名(和/英) | 鈴木 龍太 / Ryota SUZUKI |
第 1 著者 所属(和/英) | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
第 2 著者 氏名(和/英) | 野末 喬城 / Motoki NOZUE |
第 2 著者 所属(和/英) | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
第 3 著者 氏名(和/英) | 更屋 拓也 / Takuya SARAYA |
第 3 著者 所属(和/英) | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
第 4 著者 氏名(和/英) | 平本 俊郎 / Toshiro HIRAMOTO |
第 4 著者 所属(和/英) | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
発表年月日 | 2013-02-28 |
資料番号 | ED2012-137,SDM2012-166 |
巻番号(vol) | vol.112 |
号番号(no) | 446 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |