| 講演名 | 2013-02-27 Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl_2O_3/InSb MOSFET(機能ナノデバイス及び関連技術) 前澤 宏一, 伊藤 泰平, 角田 梓, 中山 幸二, 安井雄 一郎, 森雅 之, 宮崎 英志, 水谷 孝, |
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| 抄録(和) | 表面再構成制御エピタキシー法を用いてSi(111)基板上に直接成長した6-25nmのInSb薄膜をチャネルとしてMOSFETを作製した。この方法で成長したInSb層は基板に対し30度面内で回転することにより、格子不整合が約3%に緩和されている。そのため、これらの極薄InSb膜はpseudomorphic的な特性を示す。作製したMOSFETは良好なID-Vb特性を示した。さらに、実効移動度の膜厚依存性を検討し、臨界膜厚に近づく薄膜化により、移動度が向上することが実験的に示された. |
| 抄録(英) | Al_2O_3/InSb/Si MOSFETs were fabricated with a thin InSb channel layer grown directly on Si(111) substrates. The InSb thickness was ranging from 6 to 25 nm. These thicknesses are close to the critical thickness of the InSb on Si, when the InSb layer is grown using special technique called surface reconstruction controlled epitaxy, which reduces the lattice mismatch from 19.3 to 3.3 % by rotating the in-plane InSb axis by 30-degrees with respect to the Si(111) substrate Good FET characteristics were observed for 10-nm InSb channel devices The dependence of the device properties on the InSb channel thickness were investigated. The enhancement of the effective mobility for thin InSb channel devices was demonstrated, which indicates the crystal quality improvement for quasi pseudomorphic channels. |
| キーワード(和) | MOSFET / InSb / Al_2O_3 / 分子線エピタキシー / 格子不整合 |
| キーワード(英) | MOSFET / InSb / Al2O3 / Molecular Beam Epitaxy / lattice mismatch |
| 資料番号 | ED2012-135,SDM2012-164 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2013/2/20(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl_2O_3/InSb MOSFET(機能ナノデバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Al_2O_3/InSb MOSFETs using an ultra thin InSb layer grown directly on a Si substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | InSb / InSb |
| キーワード(3)（和/英） | Al_2O_3 / Al2O3 |
| キーワード(4)（和/英） | 分子線エピタキシー / Molecular Beam Epitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | 格子不整合 / lattice mismatch |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前澤 宏一 / Koichi MAEZAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富山大学大学院理工学研究部 Graduate School of Science and Engineering, University of Toyama |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊藤 泰平 / Taihei ITO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富山大学大学院理工学研究部 Graduate School of Science and Engineering, University of Toyama |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 角田 梓 / Azusa KADODA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富山大学大学院理工学研究部 Graduate School of Science and Engineering, University of Toyama |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中山 幸二 / Koji NAKAYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富山大学大学院理工学研究部 Graduate School of Science and Engineering, University of Toyama |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 安井雄 一郎 / Yuichiro YASUI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富山大学大学院理工学研究部 Graduate School of Science and Engineering, University of Toyama |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 森雅 之 / Masayuki MORI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富山大学大学院理工学研究部 Graduate School of Science and Engineering, University of Toyama |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 宮崎 英志 / Eiji MIYAZAKI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / Takashi MIZUTANI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2013-02-27 |
| 資料番号 | ED2012-135,SDM2012-164 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 446 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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