| 講演名 | 2013-01-24 減圧CVD法によるグラフェン成長制御(有機材料,一般) 前坂 考哉, 佐藤 英樹, 三宅 秀人, 平松 和政, |
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| 抄録(和) | 本研究では、単層カーボンナノチューブの低温成長法として知られている、エタノールを原料とする減圧CVD(LP-CVD)法のグラフェン合成への適用を試みている。FeもしくはNiの薄膜を触媒層として形成したシリコン基板にLP-CVDを行ったところ、従来報告されているよりも低い温度でグラフェンの合成ができることを確認した。FeとN1を用いた場合でグラフェンの成長条件を比較したところ、両者には大きな違いが観られた。Fe触媒においては、比較的低い原料ガス圧(0.5Pa)でグラフェンが合成されるが、N1の場合は成長促進のため10Pa以上の圧力が必要であった。 |
| 抄録(英) | We have synthesized graphene film by a low-pressure chemical vapor deposition (LP-CVD) method using ethanol as a carbon source, which is known as a growth method for single-walled carbon nanotubes at lower temperature than conventional methods. We confirmed that graphene films were grown by this method on silicon substrates with iron or nickel catalyst films. Growth conditions of graphene were remarkably different between growths using the iron and the nickel catalyst. In the iron catalyst, ethanol gas pressure of 0.5 Pa was enough for the graphene growth. On the other hand, the nickel catalyst required more than 10 Pa to promote the growth of graphene growth. |
| キーワード(和) | グラフェン / 低温成長 / 減圧化学気相成長(LP-CVD)法 |
| キーワード(英) | Graphene / Low temperature growth / Low-pressure chemical vapor deposition (LP-CVD) |
| 資料番号 | OME2012-89 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2013/1/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 減圧CVD法によるグラフェン成長制御(有機材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of graphene by low pressure chemical vapor deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / Graphene |
| キーワード(2)（和/英） | 低温成長 / Low temperature growth |
| キーワード(3)（和/英） | 減圧化学気相成長(LP-CVD)法 / Low-pressure chemical vapor deposition (LP-CVD) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前坂 考哉 / Takaya Maesaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 英樹 / Hideki Sato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Mie University |
| 発表年月日 | 2013-01-24 |
| 資料番号 | OME2012-89 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 410 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |