| 講演名 | 2013/1/23 高性能モバイルCPUの低消費電力化を実現する新規DRAM/MRAMハイブリッドメモリ(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術)) 安部 恵子, 野口 紘希, 北川 英二, 下村 尚治, 伊藤 順一, 藤田 忍, |
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| 抄録(和) | モバイル用CPUで問題となっているSRAMキャッシュメモリによるリーク電力増大を解決するため、メモリセルにリークパスの無い(ノーマリオフ型メモリセル)、DRAM/MRAMハイブリッドメモリ(D-MRAM)を新たに提案する。D-MRAMはアクセスの状況に応じて消費電力と動作性能のバランスが最適になるようDRAMモード/MRAMモードが選択される仕組みとなっている。 |
| 抄録(英) | This paper presents novel DRAM/MRAM hybrid memory (D-MRAM) design that enables effective power reduction for high performance mobile CPU Power reduction by about 60% of SRAM-based cache memory while application is runnmg can be achieved by D-MRAM-based cache memory with advanced p-MTJ (3ns, 50uA). |
| キーワード(和) | ノーマリオフコンピュータ / キャッシュメモリ / STT-MRAM |
| キーワード(英) | Normally-off computer / Cache memory / STT MRAM |
| 資料番号 | SDM2012-147 |
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| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2013/1/23(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高性能モバイルCPUの低消費電力化を実現する新規DRAM/MRAMハイブリッドメモリ(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Novel Hybrid DRAM/MRAMDesign for Reducing Power of High Performance Mobile CPU |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ノーマリオフコンピュータ / Normally-off computer |
| キーワード(2)（和/英） | キャッシュメモリ / Cache memory |
| キーワード(3)（和/英） | STT-MRAM / STT MRAM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 安部 恵子 / Keiko ABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野口 紘希 / Hiroki NOGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 北川 英二 / Eiji KITAGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 下村 尚治 / Naoharu SHIMOMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 伊藤 順一 / Junichi ITO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 藤田 忍 / Shinobu FUJITA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2013/1/23 |
| 資料番号 | SDM2012-147 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 421 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 37 |
| 発行日 | |