| 講演名 | 2013/1/23 ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術)) 三木 浩史, 手賀 直樹, 山岡 雅直, /, 小林 正治, /, /, /, /, / 鳥居 和功, |
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| 抄録(和) | 微細MOSFETのRTNを計測し,複数の捕獲準位応答を隠れマルコフモデルに基づいたアルゴリズムで解析した 高誘電率絶縁膜-金属ゲート構造とアンドープチャネルにより, RTN振幅は小さくなるが, 14nm技術の低電力回路では重大な問題になる可能性がある.RTNが引き起こす履歴効果により,短時間のBTIと論理遅延の不確定性が発生するためである.本稿ではまた, RTNをSRAMで検出する手法についても議論する. |
| 抄録(英) | Analyses of RTN using a multiple trap hidden Markov model algorithm revealed that RTN could still be a serious threat to 14-nm low-power circuit even though HKMG and undoped channels tend to reduce it Hysteretic effects are induced by temporal aspects of RTN, leading to short-term BTI and logic uncertainty RTN is also identified in SRAM array. |
| キーワード(和) | ランダムテレグラフノイズ / high-κ / メタルゲート / BTI / 隠れマルコフモデル |
| キーワード(英) | random telegraph noise / high-κ / metal gate / BTI / hidden Markov model |
| 資料番号 | SDM2012-145 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2013/1/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Statistical Analysis of Random Telegraph Noise (RTN) and its Impact on Variation in Threshold Voltage of Highly Scaled MOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ランダムテレグラフノイズ / random telegraph noise |
| キーワード(2)（和/英） | high-κ / high-κ |
| キーワード(3)（和/英） | メタルゲート / metal gate |
| キーワード(4)（和/英） | BTI / BTI |
| キーワード(5)（和/英） | 隠れマルコフモデル / hidden Markov model |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三木 浩史 / H. Miki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 手賀 直樹 / N. Tega |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山岡 雅直 / M. Yamaoka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | / / D. J. Frank |
| 第 4 著者 所属（和/英） | / T. J. Watson Research Center |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小林 正治 / A. Bansal |
| 第 5 著者 所属（和/英） | / T. J. Watson Research Center |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | / / M. Kobayashi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | / T. J. Watson Research Center |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | / / K. Cheng |
| 第 7 著者 所属（和/英） | / T. J. Watson Research Center |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | / / C. P. D'Emic |
| 第 8 著者 所属（和/英） | / T. J. Watson Research Center |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | / / Z. Ren |
| 第 9 著者 所属（和/英） | / T. J. Watson Research Center |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | / 鳥居 和功 / S. Wu |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 SRDC, IBM Corporation |
| 発表年月日 | 2013/1/23 |
| 資料番号 | SDM2012-145 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 421 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |