| 講演名 | 2013/1/23 本質的なグラフェン/金属界面特牲(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術)) 長汐 晃輔, 井福 亮太, 森山 喬史, 西村 知紀, 鳥海 明, |
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| 抄録(和) | レジストフリープロセスを用いて得られた結果に基づき本質的なグラフェン/金属界面特性を議論し,コンタクト抵抗低減への指針を示す. |
| 抄録(英) | This paper presents our recent understanding of metal/graphene contact in terms of intrinsic interface obtained from the resist-free process, and discusses future challenges to reduce the contact resistivity. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2012-141 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2013/1/23(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 本質的なグラフェン/金属界面特牲(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Intrinsic graphene/metal contact |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 長汐 晃輔 / K. NAGASHIO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学 マテリアル工学専攻 Department of Matrials Engineering, The University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井福 亮太 / R. IFUKU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学 マテリアル工学専攻 Department of Matrials Engineering, The University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森山 喬史 / T. MORIYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学 マテリアル工学専攻 Department of Matrials Engineering, The University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西村 知紀 / T. NISHIMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学 マテリアル工学専攻 Department of Matrials Engineering, The University of Tokyo |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 鳥海 明 / A. TORIUMI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学 マテリアル工学専攻 Department of Matrials Engineering, The University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2013/1/23 |
| 資料番号 | SDM2012-141 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 421 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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