講演名	2013/1/10 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般) 吉田 智洋, 小林 健悟, 尾辻 泰一, 末光 哲也,
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抄録(和)	ミリ波帯応用を目指したIII-V系化合物半導体FETにおいては,短ゲート化に伴うゲート抵抗増大への対策としてT型ゲート電極が用いられる。これは,最大発振周波数f_に対するゲート抵抗の影響を抑えるためであるが,ゲート長が数十nmまで微細化された今日では,T型ゲート頭部-チャネル間における寄生ゲート容量が,電流利得遮断周波数f_Tにも影響を及ぼすことが報告されている。また,微細T型ゲートではゲート金属の段切や頭部電極剥離による歩留まりの低下も心配される。したがって,T型ゲート電極の断面形状の設計,加工はこれまで以上に緻密に行う必要がある。今回我々は,hexamethyldisilazane(HMDS)気化導入PECVDを用いて,成膜条件によってエッチング速度の異なるSiCN薄膜を複数層堆積,加工した鋳型を用いて電極断面形状の精密制御する手法で,2種類の異なるT型ゲート電極を持つInGaAs HEMTを作製した。また,デバイス特性を評価した結果,両デバイスにおけるT型ゲート形状の違いによる,寄生ゲート容量とゲート抵抗の変化を確認したので報告する。
抄録(英)	Recently, the gate lengths of HEMTs have been achieved below 0.1 μm In general, T-gate electrodes are employed for such short-gate HEMTs to reduce the gate resistance and thereby to increase the maximum frequency of oscillation (f_) However, it is reported that the gate parasitic capacitance causes the degradation in fT In addition, short gate electrodes with high aspect ratio cause a fault in connection between the bottom and top of the T-gate electrodes Thus, T-gate electrodes must be fabncated more precisely to resolve these problems We report a method to control the shape of T-gates precisely by using multi-layer SiCN molds The SiCN molds consist of a senes of SiCN thin films with gradually changed etching properties The SiCN mold technique was applied to the fabrication of T-gates in InGaAs high electron mobility transistors (HEMTs) Two types of HEMTs using the SiCN molds with different T-gate shapes were fabricated by SiCN molds with different deposition conditions The detail analysis of the HEMTs indicates that the difference in the parasitic gate delay and gate resistance reflects the T-gate shapes
キーワード(和)	HEMTs / InP / InGaAs / HMDS / ゲート形成技術 / 遅延時間解析
キーワード(英)	HEMTs / InP / InGaAs / HMDS / gate fabrication / gate delay
資料番号	ED2012-127
発行日

研究会情報
研究会	MW
開催期間	2013/1/10(から1日開催)
開催地（和）
開催地（英）
テーマ（和）
テーマ（英）
委員長氏名（和）
委員長氏名（英）
副委員長氏名（和）
副委員長氏名（英）
幹事氏名（和）
幹事氏名（英）
幹事補佐氏名（和）
幹事補佐氏名（英）

講演論文情報詳細
申込み研究会	Microwaves (MW)
本文の言語	JPN
タイトル（和）	多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
サブタイトル（和）
タイトル（英）	InGaAs HEMTs with T-gate electrodes foemed by multi-layer SiCN molds
サブタイトル（和）
キーワード(1)（和/英）	HEMTs / HEMTs
キーワード(2)（和/英）	InP / InP
キーワード(3)（和/英）	InGaAs / InGaAs
キーワード(4)（和/英）	HMDS / HMDS
キーワード(5)（和/英）	ゲート形成技術 / gate fabrication
キーワード(6)（和/英）	遅延時間解析 / gate delay
第 1 著者 氏名（和/英）	吉田 智洋 / Tomohiro YOSHIDA
第 1 著者 所属（和/英）	東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electncal Communication (RIEC), Tohoku University
第 2 著者 氏名（和/英）	小林 健悟 / Kengo KOBAYASHI
第 2 著者 所属（和/英）	東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electncal Communication (RIEC), Tohoku University
第 3 著者 氏名（和/英）	尾辻 泰一 / Tanchi OTSUJI
第 3 著者 所属（和/英）	東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electncal Communication (RIEC), Tohoku University
第 4 著者 氏名（和/英）	末光 哲也 / Tetsuya SUEMITSU
第 4 著者 所属（和/英）	東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electncal Communication (RIEC), Tohoku University
発表年月日	2013/1/10
資料番号	ED2012-127
巻番号（vol）	vol.112
号番号（no）	381
ページ範囲	pp.-
ページ数	6
発行日