| 講演名 | 2013/1/10 AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般) 林 一夫, 大石 敏之, 加茂 宣卓, 山口 裕太郎, 大塚 浩志, 山中 宏治, 中山 正敏, 宮本 恭幸, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について,実測とTCADシミュレーションの両方から解析した.まず,ピンチオフ電圧以下のドレイン電流の温度依存性からGaN層中に活性化エネルギー0.15,0.5eVの2種類のトラップがあり,電子は空間電荷制限機構により電導していることがわかった.次にこれらの実測値を参考にTCADシミュレーションを実施した.その結果,トラップが存在することで,ドレインリーク電流が抑制されることがわかった.これは,トラップが負に帯電することで,伝導帯エネルギーが上昇し,電子に対する障壁が増加するためである. |
| 抄録(英) | Traps in GaN layer of AlGaN/GaN HEMTs have been studied by using both experimental data and TCAD simulation Two traps with activation energies of 0.15 and 0.5 eV are estimated from drain current versus drain voltage curves below pinch-off voltage at various temperatures Furthermore, the drain leakage current is found to decrease as the trap density increases From TCAD simulation, the decrease of the drain leakage current results from the increase of conduction band due to the traps with negative charges in GaN layer |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN HEMT / トラップ / TCADシミュレーション / ドレインリーク電流 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HEMT / trap / TCAD simulation / drain leakage current |
| 資料番号 | ED2012-125 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2013/1/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of drain leakage current in AIGaN/GaN HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | トラップ / trap |
| キーワード(3)（和/英） | TCADシミュレーション / TCAD simulation |
| キーワード(4)（和/英） | ドレインリーク電流 / drain leakage current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 林 一夫 / Kazuo HAYASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機 Mitsubishi Electric Corporation. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大石 敏之 / Toshiyuki OISHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機 Mitsubishi Electric Corporation. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 加茂 宣卓 / Yoshitaka KAMO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機 Mitsubishi Electric Corporation. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山口 裕太郎 / Yutaro YAMAGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機 Mitsubishi Electric Corporation. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大塚 浩志 / Hiroshi OTSUKA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機 Mitsubishi Electric Corporation. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山中 宏治 / Koji YAMANAKA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機 Mitsubishi Electric Corporation. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中山 正敏 / Masatoshi NAKAYAMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機 Mitsubishi Electric Corporation. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki MIYAMOTO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東工大 Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2013/1/10 |
| 資料番号 | ED2012-125 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 381 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |