| 講演名 | 2013/1/10 GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般) 田中 健一郎, 石田 昌宏, 上田 哲三, 田中 毅, |
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| 抄録(和) | ノーマリオフ型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける,高電界印加時の電流コラプスの発現メカニズムについて詳細に調べた.デバイスをオフからオンへスイッチングした直後のオン抵抗の測定結果によると,温度上昇に伴い電流コラプスが増大することがわかった.この結果は,温度が上昇すると電子の放出過程が促進され,電流コラプスが抑制されるという当初の予想とは逆の結果である.我々はこの原因について詳細に調べ,温度の上昇により電子の放出過程が促進されるだけでなく,電子の捕獲過程が同時に促進されることを見出した また,電子の捕獲過程においてエネルギー障壁が存在することを明らかにし,その大きさを0.17土0.04eVと決定した.このエネルギー障壁が生じる原因については,配位座標モデルにより説明し,電子と格子の強い相互作用により生じていると結論した. |
| 抄録(英) | Kinetic studies on the current collapse of a normally-off AlGaN/GaN heterostructure field effect tran-sistor under a high voltage have been performed above room temperature The on-state resistance after the on switching from the off state increases at high temperatures, contrary to the expectation that the emission of elec-trons is enhanced at elevated temperatures This result indicates that elevating the temperature enhances not only the emission of electrons but also their capture We experimentally observe that the enhancement of the capture process at high temperatures originates from the energy barrier for the capture of electrons, the value of which is determined to be 0.17 ± 0.04 eV The origin of the energy barrier for the capture process is explained by a configuration coordinate diagram. |
| キーワード(和) | 電流コラプス / GaN / AIGaN / HFET / HEMT / 配位座標 |
| キーワード(英) | current collapse / GaN / A1GaN / HFET / HEMT / configuration coordinate diagram |
| 資料番号 | ED2012-124 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2013/1/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of Deep Trapping States at High Temperatures on Transient Performances of A1GaN/GaN HFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電流コラプス / current collapse |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | AIGaN / A1GaN |
| キーワード(4)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(5)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(6)（和/英） | 配位座標 / configuration coordinate diagram |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 健一郎 / KENICHIRO TANAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター Semiconductor Devices Development Center, Industrial Devices Company, Panasonic Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石田 昌宏 / Masahiro ISHIDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター Semiconductor Devices Development Center, Industrial Devices Company, Panasonic Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 上田 哲三 / Tetsuzo UEDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター Semiconductor Devices Development Center, Industrial Devices Company, Panasonic Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田中 毅 / Tsuyoshi TANAKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター Semiconductor Devices Development Center, Industrial Devices Company, Panasonic Corporation |
| 発表年月日 | 2013/1/10 |
| 資料番号 | ED2012-124 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 381 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |