| 講演名 | 2013/1/10 ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象,電流コラプス及び耐圧特性の解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般) 塙 秀之, 小野寺 啓, 堀尾 和重, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象,電流コラプス及び耐圧特性を2次元数値解析し,その結果をゲートフィールドプレート構造の場合と比較した。ドレインラグの低減の割合は両者で同程度となったが,ゲートラグの低減割合はソースフィールドプレート構造の方が小さくなり,電流コラプスの低減割合もやや小さくなった。これは,ゲートのドレイン端の電界がオフ状態でより高くなりトラッピング効果が大きくなるためである。このため,オフ状態の耐圧もソースフィールトプレート構造の方がやや低くなった。バッファ層に起因した電流コラプスを最小限にするためには,SiN絶縁膜の厚さにある最適値が存在することが示唆された。 |
| 抄録(英) | Two-dimensional analysis of lag phenomena, current collapse and breakdown voltages in source-field-plate AlGaN/GaN HEMTs is performed, and the results are compared with those for the case of gate-field-plate structure It is shown that the reduction rate of drain-lag is similar between the two structures, but the reduction rates of gate lag and current collapse are smaller for the source-field-plate structure This is because the electnc field at the drain edge of the gate becomes higher in the off state and the trapping effects become more significant For this reason, the off-state breakdown voltage is a little lower in the source-field-plate structure It is suggested that there is an optimum thickness of SiN passivation layer to minimize the buffer-related current collapse in both structures |
| キーワード(和) | GaN / HEMT / フィールドプレート / ラグ現象 / 電流コラプス / 耐圧特性 / 2次元解析 |
| キーワード(英) | GaN / HEMT / field plate / lag phenomena / current collapse / breakdown voltage / two-dimensional analysis |
| 資料番号 | ED2012-123 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
|---|---|
| 開催期間 | 2013/1/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象,電流コラプス及び耐圧特性の解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Lag Phenomena,Current Collapse and Breakdown Characteristics in Source-Field-Plate AIGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | フィールドプレート / field plate |
| キーワード(4)（和/英） | ラグ現象 / lag phenomena |
| キーワード(5)（和/英） | 電流コラプス / current collapse |
| キーワード(6)（和/英） | 耐圧特性 / breakdown voltage |
| キーワード(7)（和/英） | 2次元解析 / two-dimensional analysis |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塙 秀之 / Hideyuki HANAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小野寺 啓 / Hiraku ONODERA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 堀尾 和重 / Kazushige HORIO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2013/1/10 |
| 資料番号 | ED2012-123 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 381 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |