| 講演名 | 2013/1/10 Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般) 宇治田 信二, 森田 竜夫, 梅田 英和, 木下 雄介, 田村 聡之, 按田 義治, 上田 哲三, 田中 毅, |
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| 抄録(和) | 低電圧DC-DCコンバータ用途として、S1ショットキーバリアダイオード(SBD)を集積化したノーマリオフGaNトランジスタを提案した。AlGaN/GaNヘテロ接合を結晶成長するSi基板内にSBDを形成し、これを同Si基板上に形成したノーマリオフ方GaN-GIT(Gate Injection Transistor)とビアホールを介して接続した。Si-SBDは、GaN-GITのダイオードモードよりも低い順方向電圧を有するため、DC-DCコンバータにおけるローサイド側トランジスタ側に流れる還流電流が原因で生じるデットタイム損失を低減することが出来る。GaN-GITのゲート長を0.5μmと短縮し、さらにSi-SBDを集積化したデバイスを作製し、これをDC-DCコンバータに適用した。この結果12Vを1.3VにDC変換した場合、2MHzにおいて89%の高効率動作を実現した。 |
| 抄録(英) | We present a novel GaN-based normally-off transistor with an integrated S1 Schottky barrier diode (SBD) for low voltage DC-DC converters The integrated SBD is formed by the S1 substrate for the epitaxial growth of AIGaN/GaN hetero-structure, which is connected to the normally-off GaN Gate Injection Transistor (GIT) over it with via-holes The diode can flow the reverse current in the conversion operation with lower forward voltage than that of the lateral GaN transistor enabling lower operating loss A DC-DC converter for the conversion from 12V down to 1.3V using the integrated devices with the reduced gate length down to 0.5μm exhibits a high peak efficiency of 89% at 2MHz demonstrating the promising potential of GaN devices for the application |
| キーワード(和) | GaN / SBD / DCDCコンバータ / ノーマリオフ |
| キーワード(英) | GaN / S1-SBD / DC-DC converter / normally-off |
| 資料番号 | ED2012-122 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2013/1/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN Gate Injection Transistor with Integrated Si Schottky Barrier Diode for Highly Efficient DC-DC Converters |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | SBD / S1-SBD |
| キーワード(3)（和/英） | DCDCコンバータ / DC-DC converter |
| キーワード(4)（和/英） | ノーマリオフ / normally-off |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宇治田 信二 / Shinji UJITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター Semiconductor Devices Development Center, Industnal Devices Company, Panasonic Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森田 竜夫 / Tatsuo MORITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター Semiconductor Devices Development Center, Industnal Devices Company, Panasonic Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 梅田 英和 / Hidekazu UMEDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター Semiconductor Devices Development Center, Industnal Devices Company, Panasonic Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 木下 雄介 / Yusuke KINOSHITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター Semiconductor Devices Development Center, Industnal Devices Company, Panasonic Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田村 聡之 / Satoshi TAMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター Semiconductor Devices Development Center, Industnal Devices Company, Panasonic Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 按田 義治 / Yoshiharu ANDA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター Semiconductor Devices Development Center, Industnal Devices Company, Panasonic Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 上田 哲三 / Tetsuzo UEDA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター Semiconductor Devices Development Center, Industnal Devices Company, Panasonic Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 田中 毅 / Tsuyoshi TANAKA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター Semiconductor Devices Development Center, Industnal Devices Company, Panasonic Corporation |
| 発表年月日 | 2013/1/10 |
| 資料番号 | ED2012-122 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 381 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |