| 講演名 | 2013/1/10 2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプの開発(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般) 由村 典宏, 渡辺 直樹, 出口 博昭, 宇井 範彦, |
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| 抄録(和) | 携帯電話基地局用に2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプを開発した.本ドハティアンプは105W級の窒化ガリウム(GaN)をメインアンプに,160W級のGaNをピークアンプに用いて構成され,2.5GHz-2.7GHzの200MHz帯域で飽和出力電力54.3dBm(269W)以上,バックオフ時のドレイン効率45%以上を達成したので報告する |
| 抄録(英) | A40W average output power asymmetric Doheny power amplifier for 2.6GHz band was developed using broadband inverse class F GaN HEMTs Th eDoherty PA was successfhlly designed for 2.5GHz-2.7GHz using simple small signal analysis with optimum load impedance obtained by load-pull measurement To the main and peak amplifiers the saturated power of 105W and 160W GaN HEMTs wer eapplied, respectively The Doherty PA exhibited more than 54.3dBm(269W)saturated power and more than 45% drain efficiency with-52.5dBc ACLR at 8dB back-off point with 2-carrier W-CDMA signal over the wide frequency range of 2.5GHz-2.7GHz corrected by the digital pre-distortion (DPD)system The seexcellent performances promise to be a good solution for 2.6 GHz multi-band/multi-standard base-station transmitter system(BTS) such as FDD-LTE,TDD-LTE and W1MAX |
| キーワード(和) | GaN / HEMT / 広帯域 / 高出力 / ドハティアンプ |
| キーワード(英) | GaN / HEMT / broadband / high power / Doherty amplifier |
| 資料番号 | ED2012-120 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2013/1/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプの開発(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 2.6GHz Broadband 40W GaN HEMT Doherty Amplifier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 広帯域 / broadband |
| キーワード(4)（和/英） | 高出力 / high power |
| キーワード(5)（和/英） | ドハティアンプ / Doherty amplifier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 由村 典宏 / Norihiro Yoshimura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 Sumitomo Electric Device Innovations |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 渡辺 直樹 / Naoki Watanabe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 Sumitomo Electric Device Innovations |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 出口 博昭 / Hiroaki Deguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 Sumitomo Electric Device Innovations |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宇井 範彦 / Norihiko Ui |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 Sumitomo Electric Device Innovations |
| 発表年月日 | 2013/1/10 |
| 資料番号 | ED2012-120 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 381 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |