| 講演名 | 2013/1/10 FETの寄生素子を考慮した伝送線路帰還FET発振回路のQファクタシミュレーションとSSB雑音測定(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般) 南 昂孝, 崎原 孫周, ウリン トヤ, 上原 秀幸, 大平 孝, |
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| 抄録(和) | 本研究では,伝送線路で帰還回路を構成したFET発振回路において,FETの寄生素子を考慮することでQファクタがより厳密に計算できることを,シミュレーション及びSSB雑音測定によって示す.具体例として伝送線路1本で帰還回路を構成したトポロジ,これに加えてFETのドレインにλ/2オープンスタブを装荷したトポロジ,ドレイン及びゲートにそれぞれλ/2オープンスタブを装荷したトポロジ,計3つのQファクタが異なるトポロジにおいて,発振条件,発振安定判別,Qファクタを計算した.この結果の妥当性を検証するために,回路を試作しSSB雑音測定を行い,QファクタとSSB雑音の関係を示した.測定の結果,Qファクタが高いトポロジほどSSB雑音か低くなることを確認した また,それぞれの回路のSSB雑音はLeesonの式に示される理論に対して偏差017dBrmsの高精度で一致し,今回の検討が妥当であることを示した. |
| 抄録(英) | This paper presents Q-factor simulation and SSB noise measurement for transmission line feedback FET oscillators By taking into account the FET parasitic elements, we simulated oscillation conditions, oscillation equilibrium stability predictions and Q-factor for three types of single loop feedback FET oscillators They have topologies 1) without open stub, 2) with an open stub at drain port and 3) topology with stubs at drain and gate ports To verify this simulation, we fabricated the circuits for these topologies and measure SSB noise As the result, the higher Q-factor oscillators exhibit lower SSB noise than that for lower Q-factor ones They agree with Leeson's formula with standard deviation of 0 17 dBrms. |
| キーワード(和) | 発振回路 / SSB雑音 / Qファクタ / 伝送線路 / FET / 寄生素子 / スタブ |
| キーワード(英) | oscillator / SSB noise / Q-factor / transmission line / FET / parasitic element / stub |
| 資料番号 | ED2012-114 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2013/1/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | FETの寄生素子を考慮した伝送線路帰還FET発振回路のQファクタシミュレーションとSSB雑音測定(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Q Factor Simulation and SSB Noise Measurement for Transmission Line Feedback FET Oscillators with FET Parasitic Elements |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 発振回路 / oscillator |
| キーワード(2)（和/英） | SSB雑音 / SSB noise |
| キーワード(3)（和/英） | Qファクタ / Q-factor |
| キーワード(4)（和/英） | 伝送線路 / transmission line |
| キーワード(5)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(6)（和/英） | 寄生素子 / parasitic element |
| キーワード(7)（和/英） | スタブ / stub |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 南 昂孝 / Takanari MINAMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻波動工学研究室 Toyohashi University of Technology, Department of Electrical and Electronic Information Engineering |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 崎原 孫周 / Sonshu SAKIHARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻波動工学研究室 Toyohashi University of Technology, Department of Electrical and Electronic Information Engineering |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | ウリン トヤ / Tuya WUREN |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系 Toyohashi University of Technology, Electrical and Electronic Information Engineering |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上原 秀幸 / Hideyuki UEHARA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系 Toyohashi University of Technology, Electrical and Electronic Information Engineering |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大平 孝 / Takashi OHIRA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系 Toyohashi University of Technology, Electrical and Electronic Information Engineering |
| 発表年月日 | 2013/1/10 |
| 資料番号 | ED2012-114 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 381 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |