| 講演名 | 2013/1/10 SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般) 小林 健悟, 吉田 智洋, 尾辻 泰一, 片山 竜二, 松岡 隆志, 末光 哲也, |
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| 抄録(和) | HMDSを反応ガスとするPECVDにより堆積したSiCNゲート絶縁膜を導入したAlGaN/GaN MISゲート高電子移動度トランジスタを作製し,その特性を評価したlゲート長0.3μmのSiCN MIS-HEMTにおいて相互コンダクタンス69mS/mmと電流利得遮断周波数(fr)25GHzか得られた.これらは比較のため用意したショットキーゲートデバイスと比べ,良好なものとなっている.この原因を明らかにするため,SiCN膜を堆積する際にHMDSのキャリアカガスとして用いた水素によるクリーニング効果を検証した.結果として,水素アニールによりドレイン電流密度,frが改善され,電流コラプスが抑制されることが示された. |
| 抄録(英) | This paper reports AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor (MIS)-gate high electron mobility transistors (HEMTs) with a SiCN gate stack deposited by PECVD using HMDS vapor A transconductance of 69 mS/mm and a current gain cutoff frequency (fT) of 25 GHz are obtained for the SiCN MIS-HEMTs with a gate length of 0 .3 μm These performances are better than those of the Schottky-gate reference devices To clarify the origin of these improvements, we venfied the cleaning effect of hydrogen used as a carner gas for HMDS during the PECVD of SiCN The results indicate that the hydrogen annealing improves the drain current density and fr as well as it suppresses the current collapse |
| キーワード(和) | GaN / AlGaN / SiCN / MISゲート / 高電子移動度トランシスタ(HEMT) / 水素アニール |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN / SiCN / MIS-Gate / high electron mobility transistor (HEMT) / hydrogen annealing |
| 資料番号 | ED2012-126 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2013/1/10(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaN/GaN MIS-Gate HEMTs with SiCN Gate Stacks |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | SiCN / SiCN |
| キーワード(4)（和/英） | MISゲート / MIS-Gate |
| キーワード(5)（和/英） | 高電子移動度トランシスタ(HEMT) / high electron mobility transistor (HEMT) |
| キーワード(6)（和/英） | 水素アニール / hydrogen annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小林 健悟 / Kengo KOBAYASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 RIEC, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉田 智洋 / Tomohiro YOSHIDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 RIEC, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 尾辻 泰一 / Tanchi OTSUJI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 RIEC, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 片山 竜二 / Ryuji KATAYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学金属材料研究所 IMR, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松岡 隆志 / Takashi MATSUOKA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学金属材料研究所 IMR, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 末光 哲也 / Tetsuya SUEMITSU |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 RIEC, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2013/1/10 |
| 資料番号 | ED2012-126 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 380 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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