講演名 2013-01-25
高Q値シリコン光ナノ共振器を用いたラマン光増幅素子の開発(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
高橋 和, 乾 善貴, 浅野 卓, 野田 進,
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抄録(和) 2005年に実現されたシリコンラマンレーザは、世界初のバルクシリコンレーザとして大きな注目を集めたが、省エネルギー化と微小サイズ化が思うように進展していない。我々は、フォトニック結晶高Q値光ナノ共振器を用いて、1万分の1のサイズと閾値を持つシリコンラマンレーザの実現を追求してきた。初めてナノ共振器のラマンスペクトル測定に成功し、実用的なラマンレーザ素子設計を行った。作製したデバイスにおいて誘導ラマン散乱を確認し、極微小、低閾値ラマンレーザが実現可能であることを確認した。
抄録(英) In 2005, continuous-wave Raman Si laser was reported as the first all Si laser However, the miniaturization and energy-saving have not advanced apace to practical application stage. We have aimed to develop ultrasmall, ultralow-threshold Raman Si laser using photonic crystal high-Q nanocavity. Our target device has the 10, 000-times-smaller size and threshold on the previous Si lasers. For the amazing achievement, we have challenged to devise an unique design, which brought out the tremendous potential of high-Q nanocavity derived from a basic principle that light-matter interactions are proportional to the ratio of Q and volume of the cavity.
キーワード(和) フォトニック結晶 / 微小共振器 / ラマンレーザ / ラマン散乱 / 顕微ラマン測定 / シリコンレーザ
キーワード(英) Photonic crystal / Nanocavity / Raman laser / Raman scattering / Raman spectroscopy / Silicon laser
資料番号 PN2012-65,OPE2012-174,LQE2012-166,EST2012-101,MWP2012-83
発行日

研究会情報
研究会 PN
開催期間 2013/1/17(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Photonic Network (PN)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 高Q値シリコン光ナノ共振器を用いたラマン光増幅素子の開発(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Raman amplifier devices using photonic crystal high-Q nanocavities
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) フォトニック結晶 / Photonic crystal
キーワード(2)(和/英) 微小共振器 / Nanocavity
キーワード(3)(和/英) ラマンレーザ / Raman laser
キーワード(4)(和/英) ラマン散乱 / Raman scattering
キーワード(5)(和/英) 顕微ラマン測定 / Raman spectroscopy
キーワード(6)(和/英) シリコンレーザ / Silicon laser
第 1 著者 氏名(和/英) 高橋 和 / Yasushi Takahashi
第 1 著者 所属(和/英) 大阪府立大学21世紀科学研究機構:科学技術振興機構さきがけ
Research Organization for the 21st Century, Osaka Prefecture University:Japan Science and Technology Agency, PRESTO
第 2 著者 氏名(和/英) 乾 善貴 / Yoshitaka Inui
第 2 著者 所属(和/英) 京都大学工学研究科
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
第 3 著者 氏名(和/英) 浅野 卓 / Takashi Asano
第 3 著者 所属(和/英) 京都大学工学研究科
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
第 4 著者 氏名(和/英) 野田 進 / Susumu Noda
第 4 著者 所属(和/英) 京都大学工学研究科
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
発表年月日 2013-01-25
資料番号 PN2012-65,OPE2012-174,LQE2012-166,EST2012-101,MWP2012-83
巻番号(vol) vol.112
号番号(no) 398
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
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