講演名 | 2013-01-25 高Q値シリコン光ナノ共振器を用いたラマン光増幅素子の開発(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般) 高橋 和, 乾 善貴, 浅野 卓, 野田 進, |
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抄録(和) | 2005年に実現されたシリコンラマンレーザは、世界初のバルクシリコンレーザとして大きな注目を集めたが、省エネルギー化と微小サイズ化が思うように進展していない。我々は、フォトニック結晶高Q値光ナノ共振器を用いて、1万分の1のサイズと閾値を持つシリコンラマンレーザの実現を追求してきた。初めてナノ共振器のラマンスペクトル測定に成功し、実用的なラマンレーザ素子設計を行った。作製したデバイスにおいて誘導ラマン散乱を確認し、極微小、低閾値ラマンレーザが実現可能であることを確認した。 |
抄録(英) | In 2005, continuous-wave Raman Si laser was reported as the first all Si laser However, the miniaturization and energy-saving have not advanced apace to practical application stage. We have aimed to develop ultrasmall, ultralow-threshold Raman Si laser using photonic crystal high-Q nanocavity. Our target device has the 10, 000-times-smaller size and threshold on the previous Si lasers. For the amazing achievement, we have challenged to devise an unique design, which brought out the tremendous potential of high-Q nanocavity derived from a basic principle that light-matter interactions are proportional to the ratio of Q and volume of the cavity. |
キーワード(和) | フォトニック結晶 / 微小共振器 / ラマンレーザ / ラマン散乱 / 顕微ラマン測定 / シリコンレーザ |
キーワード(英) | Photonic crystal / Nanocavity / Raman laser / Raman scattering / Raman spectroscopy / Silicon laser |
資料番号 | PN2012-65,OPE2012-174,LQE2012-166,EST2012-101,MWP2012-83 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | PN |
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開催期間 | 2013/1/17(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Photonic Network (PN) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 高Q値シリコン光ナノ共振器を用いたラマン光増幅素子の開発(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Raman amplifier devices using photonic crystal high-Q nanocavities |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | フォトニック結晶 / Photonic crystal |
キーワード(2)(和/英) | 微小共振器 / Nanocavity |
キーワード(3)(和/英) | ラマンレーザ / Raman laser |
キーワード(4)(和/英) | ラマン散乱 / Raman scattering |
キーワード(5)(和/英) | 顕微ラマン測定 / Raman spectroscopy |
キーワード(6)(和/英) | シリコンレーザ / Silicon laser |
第 1 著者 氏名(和/英) | 高橋 和 / Yasushi Takahashi |
第 1 著者 所属(和/英) | 大阪府立大学21世紀科学研究機構:科学技術振興機構さきがけ Research Organization for the 21st Century, Osaka Prefecture University:Japan Science and Technology Agency, PRESTO |
第 2 著者 氏名(和/英) | 乾 善貴 / Yoshitaka Inui |
第 2 著者 所属(和/英) | 京都大学工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 浅野 卓 / Takashi Asano |
第 3 著者 所属(和/英) | 京都大学工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 野田 進 / Susumu Noda |
第 4 著者 所属(和/英) | 京都大学工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
発表年月日 | 2013-01-25 |
資料番号 | PN2012-65,OPE2012-174,LQE2012-166,EST2012-101,MWP2012-83 |
巻番号(vol) | vol.112 |
号番号(no) | 398 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |