講演名 | 2013-03-08 キャリア発生層挿入ペンタセン電界効果トランジスタの構造と特性評価(有機エレクトロニクス・フォトニクス) 薄葉 俊, 馬場 暁, 新保 一成, 加藤 景三, 金子 双男, 皆川 正寛, |
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抄録(和) | 有機電界発光素子において報告されているキャリア発生層を、有機電界効果トランジスタに適用した。ペンタセン薄膜トランジスタに五酸化バナジウム(V_2O_5)を材料とするキャリア発生層を挿入したところ、挿入無しの場合に比べ約2.5倍のトレイン電流が観測された。またペンタセンとV2O5の共蒸着層を挿入したところ、さらに倍程度の電流となり大きな効果が確認された。このような電流増加にはペンタセンとV_2O_5の電荷移動(CT)錯体の形成が関与していると考えられ、共蒸着層ではCT錯体の形成が顕著になったためと考えられた。 |
抄録(英) | In this study, carrier generation layers which have been used in organic light-emitting diodes were adopted to organic field-effect transistors. The drain current of the pentacene FET with carrier generation layer of vanadium pentoxide (V_2O_5)was 2.5 times as large as that without the layer. Furthermore, remarkable effect was observed by inserting co-evaporation layer of V_2O_5 and pentacene. It was considered that formations of a charge-transfer (CT)complex of V_2O_5 and pentacene was related to the large drain currents, and formation of CT-complex was significant in co-evaporation layer. |
キーワード(和) | 五酸化バナジウム / ペンタセン / キャリア発生層 / OFET |
キーワード(英) | Vanadium Pentoxide / Pentacene / Carrier generation layer / OFET |
資料番号 | OME2012-107 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | OME |
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開催期間 | 2013/3/1(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | キャリア発生層挿入ペンタセン電界効果トランジスタの構造と特性評価(有機エレクトロニクス・フォトニクス) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Structure and Characteristics of Pentacene Field-Effect Transistors with Carrier Generation Layer |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 五酸化バナジウム / Vanadium Pentoxide |
キーワード(2)(和/英) | ペンタセン / Pentacene |
キーワード(3)(和/英) | キャリア発生層 / Carrier generation layer |
キーワード(4)(和/英) | OFET / OFET |
第 1 著者 氏名(和/英) | 薄葉 俊 / Shun Usuba |
第 1 著者 所属(和/英) | 新潟大学 Niigata University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 馬場 暁 / Akira Baba |
第 2 著者 所属(和/英) | 新潟大学 Niigata University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 新保 一成 / Kazunari Shinbo |
第 3 著者 所属(和/英) | 新潟大学 Niigata University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 加藤 景三 / Keizo Kato |
第 4 著者 所属(和/英) | 新潟大学 Niigata University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 金子 双男 / Futao Kaneko |
第 5 著者 所属(和/英) | 新潟大学 Niigata University |
第 6 著者 氏名(和/英) | 皆川 正寛 / Masahiro Minagawa |
第 6 著者 所属(和/英) | 長岡工業高等専門学校 Nagaoka National College of Technology |
発表年月日 | 2013-03-08 |
資料番号 | OME2012-107 |
巻番号(vol) | vol.112 |
号番号(no) | 469 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |