| 講演名 | 2013-03-08 TbFe垂直磁化膜をメモリー層とした磁気トンネル接合の熱アシスト磁化反転(光記録,一般) 藤澤 佑樹, 吉川 大貴, 加藤 剛志, 岩田 聡, 綱島 滋, |
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| 抄録(和) | 大きな垂直磁気異方性を有し,低キュリー温度のTbFeをメモリー層とした[Co/Pd]/MgO /TbFe垂直磁気トンネル接合を作成し,その磁気抵抗(MR)特性およびトンネル障壁へ電流パルスを印加することで発生するジュール熱による熱アシスト磁化反転を確認した.MgO 1.4nmの磁気トンネル接合素子では低バイアス(40mV)でMR比9%,面積抵抗342 Ωum^2程度の値が得られた.またTbFe層の室温での保磁力は1.5 kOe以上であるが,トンネル障壁にパルス幅100 msecの電流パルスを印加することで発生するジュール熱を利用し,100 Oeの磁界で磁化反転を観測した. |
| 抄録(英) | Perpendicular magnetized [Co/Pd]/MgO / TbFe tunnel junctions whose memory layer, TbFe, exhibits large perpendicular anisotropy and low Curie temperature were fabricated, and their magneto resistance (MR)properties and thermally assisted magnetization switching utilizing Joule heat generated by a current pulse through the junction were confirmed. The [Co/Pd]/MgO / TbFe junction with a barrier thickness of 1.4 nm exhibited an areal resistance of 342 Ωum^2 and an MR ratio of 9 %at a low bias voltage of 40 mV. The coercivity of TbFe memory layer was more than 1 .5 kOe at room temperature, however the magnetization of the TbFe switched at an external field of 100 Oe when the current pulse with a pulse width 1 00 msec was applied through the junction, which results from Joule heat generated by the current pulse. |
| キーワード(和) | 熱アシスト磁化反転 / MTJ / 希土類-遷移金属 / TbFe |
| キーワード(英) | Thermally assisted switching / MTJ / RE-TM / TbFe |
| 資料番号 | MR2012-50 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
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| 開催期間 | 2013/3/1(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TbFe垂直磁化膜をメモリー層とした磁気トンネル接合の熱アシスト磁化反転(光記録,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thermally assisted switching on magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetized TbFe memory layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 熱アシスト磁化反転 / Thermally assisted switching |
| キーワード(2)（和/英） | MTJ / MTJ |
| キーワード(3)（和/英） | 希土類-遷移金属 / RE-TM |
| キーワード(4)（和/英） | TbFe / TbFe |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤澤 佑樹 / Yuki Fujisawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻 Graduated School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉川 大貴 / Daiki Yoshikawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻 Graduated School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 加藤 剛志 / Takeshi Kato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻 Graduated School of Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩田 聡 / Satoshi Iwata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻 Graduated School of Engineering, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 綱島 滋 / Shigeru Tsunashima |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋産業科学研究所研究部 Department of Research, Nagoya Industrial Science Research Institute |
| 発表年月日 | 2013-03-08 |
| 資料番号 | MR2012-50 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 452 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |