| 講演名 | 2012-12-07 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化(シリコン関連材料の作製と評価) 村田 耕司, 森根 達也, 松浦 秀治, 小野田 忍, 大島 武, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | Si (Silicon) に比べ,放射線耐性及び絶縁破壊電界が大きいSiC (Silicon Carbide) は,次世代パワーデバイスとして注目されている.しかし,半導体デバイスの設計には詳細な物性パラメータが必要であるが,Si に比べSiC は放射線耐性についての詳細なデータが少ない.そのため当研究室ではvan der Pauw 法を用いたHall 効果測定によりキャリア密度と移動度の温度依存性を測定した.その結果,高エネルギーの電子線照射によりキャリア密度と移動度の減少が起こることが分かった.本研究では,各種散乱機構の内,実験で得られた正孔の移動度の変化に最も影響を与える散乱機構を検討する. |
| 抄録(英) | SiC has advantages of higher resistance to radiation and higher breakdown electric field, compared with Si. Therefore, SiC attracts attention as a next-generation power device. Although the designs for semiconductor device structures require a lot of electrical properties in semiconductors, however, there is little information on SiC, especially related with resistance to radiation. In our laboratory, therefore, the temperature dependences of majority-carrier concentrations and mobilities in SiC have been measured by Hall-effect measurements using the van der Pauw method. As a result, it turns out that the irradiation of high-energy electrons to Al-doped SiC reduces the hole concentration and mobility. In this study, we simulate the temperature dependences of hole mobilities due to several scattering mechanisms, and discuss the hole scattering mechanism which affects the experimentally-obtained hole mobility the most. |
| キーワード(和) | 4H-SiC / 電子線 / 移動度 / 散乱機構 |
| キーワード(英) | 4H-SiC / Electron Irradiation / Mobility / Scattering Mechanisms |
| 資料番号 | SDM2012-117 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2012/11/30(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化(シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Change of Scattering Mechanisms of Holes in SiC by Electron Irradiation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 電子線 / Electron Irradiation |
| キーワード(3)（和/英） | 移動度 / Mobility |
| キーワード(4)（和/英） | 散乱機構 / Scattering Mechanisms |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 村田 耕司 / Kohji Murata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 Osaka Electro-Communication University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森根 達也 / Tatsuya Morine |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 Osaka Electro-Communication University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松浦 秀治 / Hideharu Matsuura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 Osaka Electro-Communication University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小野田 忍 / Shinobu Onoda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 原子力研究開発機構 Japan Atomic Energy Agency |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大島 武 / Takeshi Ohshima |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 原子力研究開発機構 Japan Atomic Energy Agency |
| 発表年月日 | 2012-12-07 |
| 資料番号 | SDM2012-117 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 337 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |