| 講演名 | 2012-12-17 ED2012-95 75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) 芝 祥一, 佐藤 優, 鈴木 俊秀, 中舍 安宏, 高橋 剛, 牧山 剛三, 原 直紀, |
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| 抄録(和) | 短距離大容量通信システムへの適用に向け,75 nm InP HEMTを用いてF帯(90-140 GHz)で動作する電流再利用型の双方向増幅器を開発した.ゲート接地トランジスタと,インダクタとスイッチから成る小型可変整合回路により,順方向利得12-15 dB,逆方向9-12 dBで50 GHz以上の広帯域で双方向動作することを確認した.比帯域では,順方向39%,逆方向32%と,従来と比べほぼ2倍である.出力特性は,双方向とも飽和で3 dBm以上が得られた.雑音特性としてはNF 5 dB以下の計算値が得られている.電源電圧2.4 Vで消費電力はわずか15 mWであった.今回開発した双方向増幅器により,マルチギガビット通信システム用端末の小型化が期待できる. |
| 抄録(英) | We have developed an F-band (90 to 140 GHz) bidirectional amplifier MMIC using a 75-nm InP HEMT technology for short-range millimeter-wave high-speed communication systems. Inherent symmetric common-gate transistors and parallel circuits consisting of an inductor and a switch realizes a bidirectional operation with a wide bandwidth of over 50 GHz. Small signal gains of 12-15 dB and 9-12 dB were achieved in forward and reverse directions, respectively. Fractional bandwidths of the developed bidirectional amplifier were 39% for the forward direction and 32% for the reverse direction, which were almost double as large as those of conventional bidirectional amplifiers. The power consumption of the bidirectional amplifier was 15 mW under a 2.4-V supply. The chip measures 0.70 × 0.65 mm. The simulated NF is lower than 5 dB, and the saturation power is larger than 5 dBm. The use of this bidirectional amplifier provides miniaturization of the multi-gigabit communication systems and eliminates signal switching loss. |
| キーワード(和) | 双方向増幅器 / InP HEMT / ミリ波 / MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) |
| キーワード(英) | Bidirectional amplifier / InP HEMTs / Monolithic microwave integrated circuits (MMICs) |
| 資料番号 | ED2012-95 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2012/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ED2012-95 75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ED2012-95 F-Band Bidirectional Amplifier Using 75-nm InP HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 双方向増幅器 / Bidirectional amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | InP HEMT / InP HEMTs |
| キーワード(3)（和/英） | ミリ波 / Monolithic microwave integrated circuits (MMICs) |
| キーワード(4)（和/英） | MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 芝 祥一 / Shoichi SHIBA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社:株式会社富士通研究所 Fujitsu Limited:Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 優 / Masaru SATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社:株式会社富士通研究所 Fujitsu Limited:Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 俊秀 / Toshihide SUZUKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社:株式会社富士通研究所 Fujitsu Limited:Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中舍 安宏 / Yasuhiro NAKASHA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社:株式会社富士通研究所 Fujitsu Limited:Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高橋 剛 / Tsuyoshi TAKAHASHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社:株式会社富士通研究所 Fujitsu Limited:Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 牧山 剛三 / Kozo MAKIYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社:株式会社富士通研究所 Fujitsu Limited:Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki HARA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社:株式会社富士通研究所 Fujitsu Limited:Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2012-12-17 |
| 資料番号 | ED2012-95 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 364 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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