| 講演名 | 2012-11-30 Inフラッシュ法を用いた1ミクロン帯広帯域発光InAs量子ドットの作製と医療イメージングへの応用検討(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 日野 雄司, 尾崎 信彦, 大河内 俊介, 池田 直樹, 杉本 喜正, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 近年、新たな医療イメージング技術として光干渉断層計(OCT)が注目されている。OCTは今後、より汎用的な医療イメージング装置として発展するために、さらなる高分解能化や高到達深度が求められている。OCTの高分解能化には広帯域な光源が必要となる。また、高到達深度を得るには、光源の発光中心波長を水やヘモグロビンによる吸収・散乱が沙ない1.05μmにすることが望ましい。本研究は、発光材料に自己組織化InAs量子ドット(QD)を用いることで、上記のような光源作製を目指している。今回、MBE法こよるQD成長時に、In-flush法と呼ばれるQDの高さ制御法を用いて1μm帯への発光波長制御を行った。結果、InAs-QDの発光中心波長を1.22μmから約270nm短波長化させることができ、1.05μmを中心に約220nmの帯域を確保できる可能性が示された。 |
| 抄録(英) | We have grown self-assembled InAs quantum dots (QDs) on a GaAs substrate emitting at around 1.05μm in wavelength using the In-flush technique. This technique enables the realization of a broadband 1.05-μm light source with a bandwidth of beyond 200nm via a combination of fabricated In-flushed QDs. Such a broadband light source is applicable to optical coherence tomography (OCT), thereby enabling high-resolution and large penetration depth in the OCT images. In addition, we found that a higher emission intensity of the In-flushed QDs can be obtained by reducing the annealing temperature of the In-flush process. |
| キーワード(和) | InAs量子ドット / In-flush / OCT |
| キーワード(英) | InAs quantum dot / In-flush / OCT |
| 資料番号 | ED2012-89,CPM2012-146,LQE2012-117 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
|---|---|
| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Inフラッシュ法を用いた1ミクロン帯広帯域発光InAs量子ドットの作製と医療イメージングへの応用検討(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of InAs-QDs emitting at 1μm with a broadband spectrum via In-flush method for bio/medical imaging |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAs量子ドット / InAs quantum dot |
| キーワード(2)（和/英） | In-flush / In-flush |
| キーワード(3)（和/英） | OCT / OCT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 日野 雄司 / Y. Hino |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 和歌山大シスエ Wakayama Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 尾崎 信彦 / N. Ozaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 和歌山大シスエ Wakayama Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大河内 俊介 / S. Ohkouchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC NEC Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 池田 直樹 / N. Ikeda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 NIMS |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 杉本 喜正 / Y. Sugimoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 NIMS |
| 発表年月日 | 2012-11-30 |
| 資料番号 | ED2012-89,CPM2012-146,LQE2012-117 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 329 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |