| 講演名 | 2012-11-30 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 河口 研一, 中田 義昭, 江川 満, 山本 剛之, 荒川 泰彦, |
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| 抄録(和) | InP系ナノワイヤは、近赤外領域の微小光源構造体として応用が期待されている。我々は、光源に適したナノワイヤヘテロ構造実現に向けて、ウルツ鉱型(WZ)結晶を有するInPナノワイヤを基とした、径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤのMOVPE成長の検討およびそれらナノワイヤの光学特性評価を行った。径方向量子井戸がナノワイヤコア上にエピタキシャルに成長することにより、平滑な側壁を有し、積層欠陥のないWZ結晶の量子井戸ナノワイヤが形成された。InAsP量子井戸の発光波長は、InAsP膜厚とAs組成により制御することができ、波長1.3μmの室温発光を示す径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤが得られた。 |
| 抄録(英) | InP-based nanowire (NW) heterostructures have attracted attentions as a building block for fabricating nano-scale light emitting devices in the near-infrared region. We investigated the growth of radial InP/InAsP quantum wells (QWs) on wurtzite (WZ) InP NWs using metalorganic vapor phase epitaxy and their optical properties. Radial InAsP QW layers were epitaxially grown on WZ-InP NW cores, which resulted in WZ-NW shells with smooth surface and high crystalline quality. Photoluminescence wavelengths were successfully controlled by adjusting the radial QW thickness and arsenic composition of InAsP, and emissions in the 1.3-μm region were demonstrated at room temperature. |
| キーワード(和) | InPナノワイヤ / ウルツ鉱型結晶 / 径方向InP/InAsP量子井戸 |
| キーワード(英) | InP nanowire / wurtzite crystal / radial InP/InAsP quantum well |
| 資料番号 | ED2012-88,CPM2012-145,LQE2012-116 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of radial InP/InAsP quantum wells on InP nanowires for near-infrared optical devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InPナノワイヤ / InP nanowire |
| キーワード(2)（和/英） | ウルツ鉱型結晶 / wurtzite crystal |
| キーワード(3)（和/英） | 径方向InP/InAsP量子井戸 / radial InP/InAsP quantum well |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河口 研一 / Kenichi KAWAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Limited |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中田 義昭 / Yoshiaki NAKATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Limited |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 満 / Mitsuru EKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Limited |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 剛之 / Tsuyoshi YAMAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Limited |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 荒川 泰彦 / Yasuhiko ARAKAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学ナノ量子エレクトロニクス研究機構 INQIE, The University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2012-11-30 |
| 資料番号 | ED2012-88,CPM2012-145,LQE2012-116 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 329 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |