| 講演名 | 2012-11-30 ウルツ鉱構造InGaNのバンド構造とオージェ再結合の解析(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 波多腰 玄一, 布上 真也, |
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| 抄録(和) | ウルツ鉱構造InGaNでは伝導帯側にバンドギャップエネルギーと同じオーダーのエネルギー差を持つバンドがあり,これを介したウルツ鉱構造特有のオージェ過程がデバイス特性に大きく影響する可能性がある.強束縛法によりInGaNのバンド構造を解析し,それを基にオージェ再結合係数を解析した.波長450nm付近でのオージェ再結合係数は10^<-41>m^6/sと極めて大きく,オージェ再結合がLEDの効率に影響を及ぼす十分な大きさである. |
| 抄録(英) | A characteristic feature of the wurtzite semiconductor is the existence of a higher conduction band having the energy difference comparable to the bandgap energy. In such band structure, the Auger coefficient can be significantly large and affect the efficiency droop of the LED. Based on the analysis of band structure, the Auger coefficients in wurtzite InGaN have been calculated. The results indicate that the Auger coefficient for the wurtzite InGaN near the 450nm wavelength region is sufficiently large to cause the efficiency droop. |
| キーワード(和) | ウルツ鉱構造 / バンド構造 / オージェ再結合 / InGaN / LED / 効率ドループ |
| キーワード(英) | Wurtzite / Band structure / Auger recombination / InGaN / LED / Efficiency droop |
| 資料番号 | ED2012-86,CPM2012-143,LQE2012-114 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ウルツ鉱構造InGaNのバンド構造とオージェ再結合の解析(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of band structure and Auger recombination process in wurtzite InGaN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ウルツ鉱構造 / Wurtzite |
| キーワード(2)（和/英） | バンド構造 / Band structure |
| キーワード(3)（和/英） | オージェ再結合 / Auger recombination |
| キーワード(4)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(5)（和/英） | LED / LED |
| キーワード(6)（和/英） | 効率ドループ / Efficiency droop |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 波多腰 玄一 / Gen-ichi Hatakoshi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Toshiba R&D Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 布上 真也 / Shinya Nunoue |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Toshiba R&D Center |
| 発表年月日 | 2012-11-30 |
| 資料番号 | ED2012-86,CPM2012-143,LQE2012-114 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 329 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |