| 講演名 | 2012-11-19 インピーダンス分光法によるAlq_3系有機EL素子のITO-有機層界面へのバッファ層挿入による寿命改善の分析(有機材料・一般) 大城 朝是, 小西 将弘, 梶井 博武, 大塚 岳夫, 大森 裕, |
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| 抄録(和) | Indium-Tin-Oxide(ITO)基板上に正孔輸送層にN,N'-bis(1-naphtyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(α-NPD)、発光層にtris-(8-hydroxyquinolinato)aluminum(Alq_3)をそれぞれ真空蒸着法で60nm積層した素子で、初期輝度を5,000cd/m^2とした輝度半減寿命は20時間であった。次に、キャリア発生層として知られる、1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile(HAT(CN)_6)層をITO/α-NPD界面に10nm挿入した素子では輝度半減寿命は180時間となり、寿命が改善された。寿命が改善された原因を解明するためにインピーダンス分光法を用いて解析を行った。本研究では、Alq_3層、α-NPD層のそれぞれをRC並列回路とみなした等価回路モデルを設定し、等価回路のフィッティングによって、未劣化素子、輝度50%劣化素子における各層の抵抗値を求めた。HAT(CN)_6層の有無によらずAlq_3層が高抵抗化され、HAT(CN)_6層を挿入しない場合にα-NPD層の抵抗が増加した一方で、HAT(CN)_6層を挿入することによってα-NPD層の高抵抗化が抑制された。HAT(CN)_6層の挿入によるα-NPD層の劣化の抑制が寿命改善に繋がったと結論付けた。 |
| 抄録(英) | The properties of tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum (Alq_3)-based OLEDs without and with a 10-nm-thick 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile (HAT(CN)_6) buffer layer at the interface between indium-tin-oxide(ITO) and N,N'-bis(1-naphtyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (α-NPD) layer were investigated. The device lifetime was taken from the initial luminance of 5000cd/m^2 to 2500cd/m^2. For a device with HAT(CN)_6, lifetime value is improving, and an Alq_3 based OLED with an estimated lifetime of over 180 hours (time to reach 50% of initial intensity) at 5,000cd/m^2 was obtained. From measurement of impedance spectroscopy analysis, the improved hole injection from ITO to α-NPD results in the improved lifetime of an Alq_3 based OLED. |
| キーワード(和) | 有機EL / バッファ層 / Alq_3 / インピーダンス分光法 |
| キーワード(英) | organic light-emitting diode / buffer layer / Alq_3 / impedance spectroscopy |
| 資料番号 | OME2012-69 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2012/11/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | インピーダンス分光法によるAlq_3系有機EL素子のITO-有機層界面へのバッファ層挿入による寿命改善の分析(有機材料・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impedance spectroscopy analysis of buffer layer insertion at the interface between ITO and organic layer for the improvement of device stability in Alq_3 organic light-emitting devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機EL / organic light-emitting diode |
| キーワード(2)（和/英） | バッファ層 / buffer layer |
| キーワード(3)（和/英） | Alq_3 / Alq_3 |
| キーワード(4)（和/英） | インピーダンス分光法 / impedance spectroscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大城 朝是 / Tomoyuki OSHIRO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小西 将弘 / Masahiro KONISHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 梶井 博武 / Hirotake KAJII |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大塚 岳夫 / Takeo Otsuka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | カネカ基盤技術協働研究所 Kaneka Fundamental Technology Research Alliance Lab. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大森 裕 / Yutaka OHMORI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 2012-11-19 |
| 資料番号 | OME2012-69 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 304 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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