| 講演名 | 2012-11-16 積層型Chain構造PRAM(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 加藤 翔, 渡辺 重佳, |
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| 抄録(和) | NAND型フラッシュメモリ以上の低コスト化が期待出来る、Chain構造を縦方向に積層して実現する積層方式Chain構造PRAMを新たに提案した。そのメモリの基本構成、Chain構造固有のメモリセル設計法、読み出し書き込み方式について発表する。 |
| 抄録(英) | Stacked type chain PRAM which enables to realize lower cost than NAND flash memory has been newly proposed. Cell structure, core circuit, and the design method for realizing stable read and write operation for the stacked type chain PRAM have been described. The newly proposed stacked type chain PRAM is apromising candidate for realizing high-speed, low-cost, future non-volatile semiconductor memory. |
| キーワード(和) | 不揮発性メモリ / PRAM / 相変化素子 / Chain構造 |
| キーワード(英) | Non-volatile memory / PRAM / phase change material Chain structure |
| 資料番号 | SDM2012-114 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/11/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 積層型Chain構造PRAM(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design Technology of stacked Type Chain PRAM Readout |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発性メモリ / Non-volatile memory |
| キーワード(2)（和/英） | PRAM / PRAM |
| キーワード(3)（和/英） | 相変化素子 / phase change material Chain structure |
| キーワード(4)（和/英） | Chain構造 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 加藤 翔 / Sho KATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 湘南工科大学工学部情報工学科 Department of Information Science, Shonan Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 渡辺 重佳 / Shgeyoshi WATANABE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 湘南工科大学工学部情報工学科 Department of Information Science, Shonan Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2012-11-16 |
| 資料番号 | SDM2012-114 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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