| 講演名 | 2012-11-16 Tunnel FETの非局所モデリング : デバイスモデルと回路モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 福田 浩一, 森 貴洋, 水林 亘, 森田 行則, 田邊 顕人, 昌原 明植, 安田 哲二, 右田 真司, 太田 裕之, |
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| 抄録(和) | 非局所バンド間トンネルモデルに基づき、トンネルFETのデバイス及び回路モデルの基礎を開発した。デバイスでモデルでは非局所モデルの実現方法による差異を検討した。回路モデルでは非局所なトンネル距離の見積りを、簡単な仮定の導入によって実現した。それぞれ実測と同等の電気特性を確認し、物理モデルに基づくトンネルFETのデバイス及び回路を検討する基礎を築いた。 |
| 抄録(英) | Device and compact models for tunnel-FETs are developed based on nonlocal band to band tunneling model. For device modeling, some implementation variations are discussed. For compact modeling, nonlocal effects are considered by introducing simple assumptions. Both models are consistent with experimental results, and provide basics of physics-based device and compact design tools for tunnel-FETs. |
| キーワード(和) | トンネルFET / バンド間トンネル / デバイスシミュレーション / コンパクトモデル |
| キーワード(英) | tunnel-FET / band to band tunneling / device simulation / compact model |
| 資料番号 | SDM2012-111 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/11/8(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Tunnel FETの非局所モデリング : デバイスモデルと回路モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nonlocal band to band tunneling model for tunnel-FETs : Device and circuit models |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネルFET / tunnel-FET |
| キーワード(2)（和/英） | バンド間トンネル / band to band tunneling |
| キーワード(3)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(4)（和/英） | コンパクトモデル / compact model |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 福田 浩一 / Koichi FUKUDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森 貴洋 / Takahiro MORI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 水林 亘 / Wataru Mizubayashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 森田 行則 / Yukinori MORITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田邊 顕人 / Akito TANABE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 昌原 明植 / Meishoku MASAHARA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 安田 哲二 / Tetsuji YASUDA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 右田 真司 / Shinji MIGITA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 太田 裕之 / Hiroyuki OTA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 発表年月日 | 2012-11-16 |
| 資料番号 | SDM2012-111 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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