| 講演名 | 2012-11-16 現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 久木田 健太郎, 鎌倉 良成, |
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| 抄録(和) | デバイスの微細化に伴い自己発熱効果の影響が顕著になり,集積回路の性能や信頼性を低下させることが懸念されている.そこで本研究では極微細領域での熱伝導機構を正しく理解することを目的に,フォノンのボルツマン輸送方程式を直接解くモンテカルロシミュレーションを開発し,熱伝導性が大きく低下するシリコン薄膜中の熱輸送を解析した.現実的フルバンド分散関係を考慮し,また適切なフォノン-界面散乱モデルをシミュレータに適用して極薄膜シリコンの熱伝導率の計算を行った結果,実験値との良好な一致を得ることが出来た. |
| 抄録(英) | Growing heat dissipation has become one of the main issues in today's IC chips limiting the reliability and performance. In this study, we analyze the thermal conduction in ultrathin Si films using a Monte Carlo method developed for solving the phonon Boltzmann transport equation. By taking account of the realistic phonon dispersion relation and appropriate boundary scattering mechanism, good agreement with the experimental data has been obtained. |
| キーワード(和) | フォノン / モンテカルロシミュレーション / 薄膜 / 熱伝導率 |
| キーワード(英) | phonon / Monte Carlo simulation / thin film / thermal conductivity |
| 資料番号 | SDM2012-109 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/11/8(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Monte Carlo Simulation of Phonon Transport in Silicon Thin Films Including Realistic Dispersion Relation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フォノン / phonon |
| キーワード(2)（和/英） | モンテカルロシミュレーション / Monte Carlo simulation |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| キーワード(4)（和/英） | 熱伝導率 / thermal conductivity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 久木田 健太郎 / Kentaro KUKITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鎌倉 良成 / Yoshinari KAMAKURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科:JST CREST Graduate School of Engineering, Osaka University:JST, CREST |
| 発表年月日 | 2012-11-16 |
| 資料番号 | SDM2012-109 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |