| 講演名 | 2012-11-16 離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 : KMCとNEGFによる研究(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 森 伸也, 植松 真司, 三成 英樹, ミリニコフ ゲナディ, 伊藤 公平, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧に及ぼす影響について,動的モンテカルロ(KMC)法と非平衡グリーン関数(NEGF)法を用いて調べた.KMCを用いてナノワイヤトランジスタにおける不純物配置を計算し,その結果をNEGFシミュレータに導入することにより,離散不純物が電流電圧に及ぼす影響を調べた.ゲート長10nmの3nm×3nmシリコンナノワイヤトランジスタの場合,離散不純物デバイスの平均トレイン電流は,一様連続ドープデバイスのトレイン電流より,20%程度減少した.また,平均電流で規格化したドレイン電流揺らぎは,20%程度となった. |
| 抄録(英) | Impacts of discrete dopant in source and drain extensions on characteristics of silicon nanowire transistors have been numerically studied. Kinetic Monte Carlo simulation is performed for generating distribution of active dopant atoms. Current-voltage characteristics are then calculated within a non-equilibrium Green's function method. For silicon nanowire transistors with 3nm×3nm cross-section and 10nm gate-length, the average drain current, |
| キーワード(和) | ナノワイヤトランジスタ / 離散不純物 / 動的モンテカルロ法 / 非平衡グリーン関数法 |
| キーワード(英) | nanowire transistor / discrete impurity / kinetic Monte Carlo / nonequilibrium Green's function |
| 資料番号 | SDM2012-107 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2012/11/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 : KMCとNEGFによる研究(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of Discrete Dopant on Characteristics of Nanowire Transistors KMC and NEGF Study |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノワイヤトランジスタ / nanowire transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 離散不純物 / discrete impurity |
| キーワード(3)（和/英） | 動的モンテカルロ法 / kinetic Monte Carlo |
| キーワード(4)（和/英） | 非平衡グリーン関数法 / nonequilibrium Green's function |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森 伸也 / Nobuya MORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST Graduate School of Engineering, Osaka University:CREST, JST |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 植松 真司 / Masashi UEMATSU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 独立行政法人科学技術振興機構,CREST:慶應義塾大学大学院理工学研究科 CREST, JST:School of Fundamental Science and Technology, Keio University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三成 英樹 / Hideki MINARI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST Graduate School of Engineering, Osaka University:CREST, JST |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | ミリニコフ ゲナディ / Gennady MIL'NIKOV |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST Graduate School of Engineering, Osaka University:CREST, JST |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 伊藤 公平 / Kohei M. ITOH |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 独立行政法人科学技術振興機構,CREST:慶應義塾大学大学院理工学研究科 CREST, JST:School of Fundamental Science and Technology, Keio University |
| 発表年月日 | 2012-11-16 |
| 資料番号 | SDM2012-107 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |