| 講演名 | 2012-11-16 経験的擬ポテンシャル法による4H-SiC MOS反転層の2次元電子状態の計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 渡邊 龍太, 鎌倉 良成, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistor(MOSFET)反転層におけるサブバンド構造を経験的擬ポテンシャル法を用いて計算した.その結果,(0001)面MOS反転層において,界面平行方向の電子有効質量が閉じ込め電界強度の増加とともに増大する可能性があることが分かった.この変調はM-L方向に沿ったE-κ関係に見られる強い非放物線性の影響によるものであると考えられる. |
| 抄録(英) | Two-dimensional electronic states in inversion layers of 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) are calculated by taking account of the realistic band structure based on empirical pseudopotential method. It is shown that the in-plane effective mass for electrons significantly increases under the strong confinement conditions in the case of (0001) oriented substrate. This modulation is attributed to the strong nonparabolicity effect confirmed in the E-κ relation of bulk 4H-SiC along M-L direction. |
| キーワード(和) | シリコンカーバイド / バンド構造 / 経験的擬ポテンシャル法 / サブバンドエネルギー / 有効質量 |
| キーワード(英) | Silicon Carbide / bandstructure / empirical pseudopotential method / subband energy / effective mass |
| 資料番号 | SDM2012-106 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2012/11/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 経験的擬ポテンシャル法による4H-SiC MOS反転層の2次元電子状態の計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Empirical Pseudopotential Calculations of Two-Dimensional Electronic States in 4H-SiC Inversion layers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンカーバイド / Silicon Carbide |
| キーワード(2)（和/英） | バンド構造 / bandstructure |
| キーワード(3)（和/英） | 経験的擬ポテンシャル法 / empirical pseudopotential method |
| キーワード(4)（和/英） | サブバンドエネルギー / subband energy |
| キーワード(5)（和/英） | 有効質量 / effective mass |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡邊 龍太 / Ryuta WATANABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鎌倉 良成 / Yoshinari KAMAKURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科:JST CREST Graduate School of Engineering, Osaka University:JST,CREST |
| 発表年月日 | 2012-11-16 |
| 資料番号 | SDM2012-106 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |