| 講演名 | 2012-11-16 低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI CMOSの微細化指針に関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 佐藤 大貴, 大村 泰久, |
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| 抄録(和) | Cross-Current Tetrode(XCT)SOI CMOSの応用開拓のために、XCT-SOI-CMOSの低エネルギー動作特性の特徴を紹介し、合わせて微細化指針に関する検討を提案する。XCT-SOI CMOSと従来のSOI CMOSの特性を比較し、XCT-SOI-CMOSが低エネルギー化に適した素子であることを示す。待機時消費電力の抑制を進めるため、3次元デバイスシミュレータを用いて、ソース/ドレインの不純物濃度分布の影響を計算で評価した結果を報告し、極限微細化に向けた性能見通しを示す。 |
| 抄録(英) | This paper introduces an advanced performance of cross-current tetrode (XCT) SOI CMOS devices and demonstrates their outstanding low-energy characteristics. A simple analysis suggests that the low-energy operation of XCT-SOI-CMOS devices stems from the dynamic potential floating effect yielded by the source diffusion of the original SOI MOSFET. In addition, the performance of XCT-SOI MOSFET is improved by change of source and drain doping profile (donors) for short channel length devices. |
| キーワード(和) | SOIMOSFET / 寄生JFET / 負性微分コンタクタンス / 短チャネル効果 / 低エネルギー |
| キーワード(英) | SOI MOSFET / parasitic JFET / negative differential conductance / short-channel effects / low energy |
| 資料番号 | SDM2012-105 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/11/8(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI CMOSの微細化指針に関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Prospect of Low-Energy Operation of Scaled Cross-Current Tetrode (XCT)SOICMOS |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOIMOSFET / SOI MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 寄生JFET / parasitic JFET |
| キーワード(3)（和/英） | 負性微分コンタクタンス / negative differential conductance |
| キーワード(4)（和/英） | 短チャネル効果 / short-channel effects |
| キーワード(5)（和/英） | 低エネルギー / low energy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 大貴 / Daiki SATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 関西大学大学院理工学研究科 Graduate School of Engineering, Kansai University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大村 泰久 / Yasuhisa OMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 関西大学大学院理工学研究科:関西大学・先端科学技術推進機構 Graduate School of Engineering, Kansai University:ORDIST, Kansai University |
| 発表年月日 | 2012-11-16 |
| 資料番号 | SDM2012-105 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |