| 講演名 | 2012-11-15 高周波帯域雑音計測プローブによるMOSFETの時間揺らぎ特性評価 : 1/f(低周波)から熱雑音(100MHz超)まで(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 大毛利 健治, |
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| 抄録(和) | MOSFETにおいて、低周波数帯域では1/f雑音が顕在化し、高周波帯域では熱雑音が支配的となる。その境であるコーナー周波数は、微細化により益々高周波へとシフトしている。我々は、広帯域に亘る雑音計測のためのプローブを独自開発し、オンウェーハのMOSFETに対して100MHzまでの雑音計測を可能にした。本講演では、高周波帯域雑音プローブの作製とそれによる評価結果を紹介する。 |
| 抄録(英) | We have developed a novel system for characterizing higher-frequency noise of MOSFETs under dc-biases up to 100MHz. A low-noise amplifier was mounted on a unique micro probe-card so that the signal from DUT (on a wafer) is captured with lesser losses. Using this new approach, we have successfully measured the transition of low-frequency (1/f) noise to high-frequency noise, such as thermal noise. |
| キーワード(和) | MOSFET / 雑音 / 1/f雑音 / 熱雑音 |
| キーワード(英) | MOSFET / Noise / 1/f noise / Thermal noise / Low noise amplifier (LNA) |
| 資料番号 | SDM2012-102 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/11/8(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高周波帯域雑音計測プローブによるMOSFETの時間揺らぎ特性評価 : 1/f(低周波)から熱雑音(100MHz超)まで(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fluctuation of MOSFETs from Low-Frequency Noise to Thermal Noise : Using a Novel Measurement System beyond 100 MHz |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 雑音 / Noise |
| キーワード(3)（和/英） | 1/f雑音 / 1/f noise |
| キーワード(4)（和/英） | 熱雑音 / Thermal noise |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大毛利 健治 / Kenji OHMORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 筑波大学数理物質系 Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba |
| 発表年月日 | 2012-11-15 |
| 資料番号 | SDM2012-102 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |