| 講演名 | 2012-11-15 SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化 : 低抵抗,高耐熱によるシステムの小型化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 中村 孝, 明田 正俊, 中野 佑紀, 大塚 拓一, 花田 俊雄, |
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| 抄録(和) | 超低抵抗SiCトレンチMOSFETを高耐圧モジュールに応用し,超小型・高効率モジュールを実現. |
| 抄録(英) | Ultra-small power modules with high temperature operation are realized by using low-Ron SiC trench MOSFET. |
| キーワード(和) | SiCパワーデバイス / トレンチMOSFET / 高耐熱モジュール |
| キーワード(英) | SiC Power Device / Trench MOSFET / Power Module / High Temperature Operation |
| 資料番号 | SDM2012-100 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/11/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化 : 低抵抗,高耐熱によるシステムの小型化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Performance SiC Power Devices and Modules : Miniaturization of System by Low-Ron and High Temperature Operation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiCパワーデバイス / SiC Power Device |
| キーワード(2)（和/英） | トレンチMOSFET / Trench MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | 高耐熱モジュール / Power Module |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 孝 / Takashi NAKAMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター Power Electronics R&D Unit, ROHM Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 明田 正俊 / Masatoshi AKETA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター Power Electronics R&D Unit, ROHM Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中野 佑紀 / Yuki NAKANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター Power Electronics R&D Unit, ROHM Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大塚 拓一 / Takukazu Otsuka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター Power Electronics R&D Unit, ROHM Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 花田 俊雄 / Toshio HANADA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター Power Electronics R&D Unit, ROHM Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2012-11-15 |
| 資料番号 | SDM2012-100 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 2 |
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