| 講演名 | 2012-11-30 モノリシック光源に向けたゲルマニウム発光素子の研究(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 谷 和樹, 斎藤 慎一, 小田 克矢, 奥村 忠嗣, 峰 利之, 井戸 立身, |
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| 抄録(和) | Si基板上にモノリシックに集積可能な光源の開発を目指して,Ge単結晶成長技術の開発と,Ge発光素子の試作検討を行った.結晶成長技術においては,低温エピタキシャル成長したGe層をポストアニールする事により,結晶性及び発光特性の向上を確認した.また,電極部における自由キャリア吸収による損失を低減するため,素子をSOI(silicon-on-insulator)に形成した横型pnダイオード上に成長したGe導波路に電流を横方向に注入する構造にした.試作した素子は良好な電気特性と電流注入発光特性を示したため,本Ge発光素子はSi基板上のモノリシック集積光源として有望であると考えられる. |
| 抄録(英) | For the purpose of realization of monolithic light sources on a silicon chip, Ge epitaxial growth technique was investigated, and a Ge light emitting diode, which consists of a Ge waveguide grown on a pn diode fabricated on SOI (silicon-on-insulator) layer, was fabricated. A post annealing after low temperature epitaxial growth of Ge layer effectively improved the crystallinity and light emitting properties of Ge, and fabricated devices showed good electrical and luminous properties. |
| キーワード(和) | シリコンフォトニクス / Ge / 発光ダイオード |
| キーワード(英) | Silicon photonics / Ge / Light emitting diode |
| 資料番号 | ED2012-91,CPM2012-148,LQE2012-119 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | モノリシック光源に向けたゲルマニウム発光素子の研究(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Ge Light Emitter for Monolithic Light Source |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon photonics |
| キーワード(2)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(3)（和/英） | 発光ダイオード / Light emitting diode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 谷 和樹 / Kazuki TANI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発機構:日立製作所中央研究所 Photonics Electronics Technology Research Association (PETRA):Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology (PECST):Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 斎藤 慎一 / Shin-ichi SAITO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発機構:日立製作所中央研究所 Photonics Electronics Technology Research Association (PETRA):Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology (PECST):Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小田 克矢 / Katsuya ODA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発機構:日立製作所中央研究所 Photonics Electronics Technology Research Association (PETRA):Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology (PECST):Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 奥村 忠嗣 / Tadashi OKUMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 峰 利之 / Toshiyuki MINE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 井戸 立身 / Tatemi IDO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発機構:日立製作所中央研究所 Photonics Electronics Technology Research Association (PETRA):Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology (PECST):Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
| 発表年月日 | 2012-11-30 |
| 資料番号 | ED2012-91,CPM2012-148,LQE2012-119 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 327 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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